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  • 华南理工大学半导体物理第五章课件.ppt

    单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半 导 体 物 理第五章 非平衡载流子 华南理工大学电子与信息学院 蔡 敏 教授第五章 非平衡载流子5.1 非平衡载流子的注入与复合5.2 非平衡载流子的寿命5.3 准费米能级5.4 复合理论5.5 载流子的扩散运动5.6 载流子的漂移运动爱因斯坦关系式5.7 连续性方程式非平衡载流子

    日期:2022-04-19 格式:.pptx 页数:100页 大小:863KB 发布:
  • 第五章_非平衡载流子1216.ppt

    单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第五章 非平衡载流子 在外界因素的作用下能带中的载流子数目发生明显的改变即产生非平衡载流子 晶体管放大 半导体发光 光电导本章内容: 非平衡载流子的注入 非平衡载流子的复合与寿命 陷阱效应

    日期:2022-04-19 格式:.pptx 页数:42页 大小:12.02MB 发布:
  • 半导体物理笔记五章(修正版).doc

    §2 非平衡载流子的寿命当外界因素撤除后非平衡载流子浓度△n(△p)是随时间按指数规律逐渐衰减即非平衡载流子在导带和价带之间有一定的生存时间但长短不一非平衡载流子在外界因素撤除后的生存时间的平均值称为非平衡载流子的寿命记作因非平衡少子作用显著通常指非平衡在少子寿命 自由时间倒数 =P寿命的倒数 相当于复合几率非平衡载流子的复合率:单位时间单位体积净复合而消失的电子--空穴对数复

    日期:2022-04-19 格式:.docx 页数:6页 大小:557KB 发布:
  • 07_05_非平衡载流子.ppt

    07_05 非平衡载流子 N型半导体 —— 主要载流子是电子__也有少量的空穴电子 —— 多数载流子 —— 多子空穴 —— 少数载流子 —— 少子P型半导体 —— 主要载流子是空穴__也有少量的电子空穴 —— 多数载流子 —— 多子电子 —— 少数载流子 —— 少子热平衡下电子和空穴的浓度N型半导体中的杂质电子和价带中的电子通过吸收热能 —— 激发到导带中

    日期:2022-04-02 格式:.pptx 页数:15页 大小:1.89MB 发布:
  • 哈工大半导体物理-第5章.ppt

    第5章 非平衡载流子单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第5章 非平衡载流子 主要讨论非平衡载流子的产生和复合机制及它们的运动规律§5.1 非平衡载流子的注入与复合§5.2 非平衡载流子的寿命§5.3 准费米能级§5.4 复合理论§5.5 陷阱效应§5.6 载流子的扩散运动§5.7 载流子的漂移运动爱因斯坦关系式§5.8 连续性方程式1第5章 非平衡

    日期:2022-04-11 格式:.pptx 页数:103页 大小:1.72MB 发布:
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