集成电路工艺原理第九章 刻蚀原理INFO130024.01372.065.1.01集成电路工艺原理第十四讲 薄膜淀积原理集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1大纲 第一章 前言第二章 晶体生长第三章 实验室净化及硅片清洗第四章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子注入第八章

集成电路工艺原理第十章 接触及互连原理INFO130024.01集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1大纲 第一章 前言第二章 晶体生长第三章 实验室净化及硅片清洗第四章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子注入第八章 薄膜淀积第九章 刻蚀第十章

集成电路工艺原理第十一章 工艺集成INFO130024.01集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1大纲 第一章 前言第二章 晶体生长第三章 实验室净化及硅片清洗第四章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子注入第八章 薄膜淀积第九章 刻蚀第十章 接

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级电子科技大学中山学院单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Chap 4 离子注入核碰撞和电子碰撞注入离子在无定形靶中的分布注入损伤热退火离子注入离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程注入能量介于1KeV到1MeV之间注入深度平均可达10nm10um离子剂量变动范围从用于阈值电压

： ： 班级： 试验时间： 地点： 指导老师：光刻实验一．实验目的了解光刻在集成电路工艺中的作用熟悉光刻工艺的步骤和操作二．实验原理集成电路工艺的光刻成像术是将为数众多的电子零件和线路一层一层地转换到一个微小的晶片上每一层均有一片掩膜板靠着光学成像原理光线经过掩膜版透镜而成像在晶片表面上晶片表面必须有如照相底片般的物质存在属于可感光的胶质化合

单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级天津工业大学单击此处编辑母版标题样式Chap.9 金属化与多层互连IC中金属的作用及分类1铝在集成电路技术中的应用23大规模集成电路与多层互连工艺45铜及其他金属在IC中的应用多晶硅及硅化物在IC中的应用天津工业大学IC中金属的分类IC中的金属MOSFET栅电极材料(重掺杂多晶硅)互连材料(常用金属及金属合金)接触材料(金属硅化物)金属化：金属及金

INFO130024.01集成电路工艺原理第一讲 前言集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1大纲(1)教科书：1. 施敏 梅凯瑞 半导体制造工艺基础2. J.D. Plummer M.D. Deal P.B. Griffin 硅超大规模集成电路工艺技术-理论实践与模型参考书：C.Y. Chang S.M. Sze ULSI Technology王阳元

INFO130024.01集成电路工艺原理第二章 晶体生长集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1上节课主要内容CMOS工艺：光刻氧化扩散刻蚀等硅技术的历史沿革和未来发展趋势：晶体管的诞生集成电路的发明平面工艺的发明CMOS技术的发明摩尔定律(Moores law)VLSISoCSIPConstant-field等比例缩小原则ITRS：技术代节点2大纲

INFO130024.01集成电路工艺原理第三章 实验室净化及硅片清洗集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1硅单晶的制备： 掺杂分布： 有效分凝系数衬底制备：晶体缺陷：本节课主要内容CZ 直拉法 悬浮区熔法整形晶体定向晶面标识晶面加工点缺陷线缺陷面缺陷体缺陷2大纲 (2)第一章 前言第二章

INFO130024.01集成电路工艺原理第四章 光刻原理 (下)集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1上节课主要内容基于衍射理论的光刻原理投影式(远场衍射)：分辨率焦深MTF不相干度S接触接近式(近场衍射):最小尺寸光刻胶：正胶负胶光刻胶的组成i线g线(PAC)DUV(PAG)掩模版制作光刻机工作模式：接触式接近式投影式(扫描式步进式步进扫描式)2大

INFO130024.01集成电路工艺原理第五章 热氧化原理 (上)集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1大纲 第一章 前言第二章 晶体生长第三章 实验室净化及硅片清洗第四章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子注入第八章 薄膜淀积第九章 刻蚀第十章

第三章 实验室净化及硅片清洗集成电路工艺原理1内容第一章 前言第二章 晶体生长第三章 实验室净化及硅片清洗第四章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子注入第八章 薄膜淀积第九章 刻蚀第十章 工艺集成2三道防线:环境净化(clean room)硅片清洗(wafer cleaning)吸杂(ge

INFO130024.01集成电路工艺原理第五章 热氧化原理 (下)集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1大纲 第一章 前言第二章 晶体生长第三章 实验室净化及硅片清洗第四章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子注入第八章 薄膜淀积第九章 刻蚀第十章

INFO130024.01集成电路工艺原理第六章 扩散原理 (上)集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1K=1 热氧化时杂质在界面上的分布2MOSFET的CV曲线如何3大纲 第一章 前言第二章 晶体生长第三章 实验室净化及硅片清洗第四章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子

集成电路工艺原理INFO130024.01第八章 薄膜淀积原理 (上)集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1大纲 第一章 前言第二章 晶体生长第三章 实验室净化及硅片清洗第四章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子注入第八章 薄膜淀积第九章 刻蚀第十章

Title of this SliceFirst Subtitel2nd level3rd Level4th Level5th Level东?南?大?学 射?频?与?光?电?集?成?电?路?研?究?所第四章集成电路器件工艺4.1 双极型集成电路的基本制造工艺4.2 MESFET和HEMT工艺4.3 MOS工艺和相关的VLSI工艺4.4 BiCMOS工艺1

集成电路工艺原理第七章 离子注入原理 (上)INFO130024.01集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1大纲 第一章 前言第二章 晶体生长第三章 实验室净化及硅片清洗第四章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子注入第八章 薄膜淀积第九章 刻蚀第十章

单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级天津工业大学单击此处编辑母版标题样式Chap.10 工艺集成集成电路中的隔离1CMOS集成电路的工艺集成234双极集成电路的工艺集成BiCMOS集成电路的工艺集成天津工业大学工艺集成： ——运用各类工艺形成电路结构的制造过程CMOS集成电路的工艺集成双极型集成电路的工艺集成BiCMOS集成电路的工艺集成天津工业大学§10.1 集成电路中的隔离

集成电路工艺原理第十二章 未来趋势与挑战INFO130024.01集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1大纲 第一章 前言第二章 晶体生长第三章 实验室净化及硅片清洗第四章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子注入第八章 薄膜淀积第九章 刻蚀第十章

半导体工艺技术第十章 刻蚀372.065.1.01集成电路工艺原理第十四讲 薄膜淀积原理半导体工艺技术 张晓波xbzhangncut.edu三教24062512 微电子实验室Tel:8880311813681100693 1两大关键问题：选择性方向性：各向同性各向异性待刻材料的刻蚀速率掩膜或下层材料的刻蚀速率横向刻蚀速率纵向刻蚀速率图形转移过程演示图形转移光刻刻蚀2