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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级具有超疏水表面的硅二氧化硅层次结构薄膜硅基材料的超疏水表面的制备方法1.制备粗糙微观结构2.用表面能低的有机物修饰粗糙微观结构表面超疏水硅基薄膜1.制备方法：液态金属锡作为生长衬底通过化学气相沉积法制备超疏水硅基薄膜结构．2.构成：薄膜表面由竖直生长的硅／二氧化硅(Si／SiO2)核壳层次结构组成．3.影响因素：构成薄膜表面的

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级化学气相淀积定义：指使一种或数种物质的气体以某种方式激活后在衬底发生化学反应并淀积出所需固体薄膜的生长技术其英文原名为 Chemical Vapour Deposition简称为 CVD本章主要内容： CVD薄膜的动力学模型常用系统及制备常用薄膜的工艺第六章 化学气相淀积20224211(1)CVD成膜温度远低于体材料的熔

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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级化学气相淀积与薄膜工艺Chemical Vapor Deposition Thin Film Technology 孟广耀Tel:3603234 Fax:3607627mgymustc.edu中国科学技术大学 材料科学与工程系固体化学与无机膜研究所1CH.4. CVD淀积过程的热力学化学气相淀积过程的热力学: 回

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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 金属有机物化学气相沉积(MOCVD-Metal Organic CVD)概念：利用金属有机物的热分解进行化学气相沉积制备薄膜的CVD方法特点：近十几年发展 发展起来的一种新的表面气相沉积技术它一般使用金属有机化合物和氢化物作为原料气体进行热解化学气相沉积制备范围：在较低温度下沉积各种无机材料如金属氧化物氢化物碳