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高压VDMOSFET击穿电压优化设计.pdf
高压 VDMOSFET 击穿电压优化设计 严向阳唐晓琦淮永进 (1．佛山市蓝箭电子有限广东 佛山 5280002．北京燕东微电子有限北京 100015) 0 引 言 VDMOSFET是一种功率型MOSFET可直接用于处理电能的主电路中实现电能的变换或控制这种器件采用电压控制方式具有很高的输入阻抗极高 的开关速度良好的热稳定性等一系列特点在电力电子领域得到了广泛应用击穿电压是
日期：2023-04-03 格式：.pdf 页数：5页 大小：327.68KB 发布：
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