单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式《嵌入式技术基础与实践》第13章 FLASH存储器《嵌入式技术基础与实践》本章主要内容Flash存储器概述与编程模式MC908GP32单片机Flash存储器编程方法GP32单片机Flash在线编程汇编语言实例GP32单片机Flash在线编程08C语言实例HCS08系列单片机Flash编程方法13.1 Flash存储器概述与编程

EEPROMEPROMFLASHSRAMDRAMSDRAM的区别EEPROMEPROMFLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中充入的电子只能用紫外线的能量来激出EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transis

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Nor flash驱动编程及实验议程实验目的硬件原理软件原理问题与讨论实验目的学习Flash基本原理熟悉对Flash的读写操作过程硬件原理Flash简介39VF160简介电路连接39VF160详细说明Flash简介Flash-ROM(闪存)已经成为了目前最成功流行的一种固态内存与 EEPROM 相比具有读写速度快而与 SRAM