霍尔传感器原理霍尔传感器是一种磁传感器用它可以检测磁场及其变化可在各种与磁场有关的场合中使用霍尔传感器以霍尔效应为其工作基础是由霍尔元件和它的附属电路组成的集成传感器霍尔传感器在工业生产交通运输和日常生活中有着非常广泛的应用一霍尔效应霍尔元件 霍尔传感器(一)霍尔效应如图1所示在半导体薄片两端通以控制电流I并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场则在垂直于电流和磁场的方向上将产生电势差

实验一??霍尔效应及其应用【预习思考题】1．列出计算霍尔系数?载流子浓度n电导率σ及迁移率μ的计算公式并注明单位霍尔系数?载流子浓度?电导率?迁移率?2．如已知霍尔样品的工作电流?及磁感应强度B的方向如何判断样品的导电类型以根据右手螺旋定则从工作电流?旋到磁感应强度B确定的方向为正向若测得的霍尔电压?为正则样品为P型反之则为N型3．本实验为什么要用3个换向开关为了在测量时消除一些霍尔效应的副

电子材料导论压电效应答：(1)当在某一特定方向对晶体施加应力时在与应力垂直方向两端表面能出现数量相等符号相反的束缚电荷—正压电效应(2)当一块具有压电效应的晶体置于外电场中由于晶体的电极化造成的正负电荷中心位移导致晶体变形形变量与电场强度成正比—逆压电效应电畴答：具有自发极化的晶体中存在一些自发极化取向一致的微小区域霍尔效应答：在一块半导体某一方向上加有电场并在垂直方向上加有磁场在两种外力作

霍 尔效 应实 验 仪 型 号：SH500A产品 介绍 ：霍尔 效应 是电磁 学中 的一个 重要 实验 其应 用日 益广泛 霍 尔效应 可以 测定材 料的 载流子 浓度及 载流 子迁移 率等 重要参 数 判断材 料的 导电 类型 是研 究半导 体材 料的重 要手 段霍 尔效应 可以 测量直 流或 交流电 路中 的电流 强度 和功 率以及 把直 流电流 转化 成交流 电流 并对它 进行调制放大应用霍

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级12磁敏器件及材料 一霍耳磁敏传感器 二磁敏二极管和磁敏三极管 三磁敏电阻 一霍耳磁敏传感器 (一)霍耳效应 1879年美国物理学家E.H.Hall首先发现了霍尔效应通电的导体或半导体在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势的现象Ie－－－－－－Ｂlwd霍耳效应原理图VHvFmFE(二)霍耳磁敏传感器工作原

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 霍尔元件——磁电转换传感器 置于均匀磁场中的通电半导体(锗锑化铟砷化铟等)在垂直于电场和磁场的方向产生横向电场的现象称为霍尔效应相应电场称为霍尔电场 一磁敏式传感器CurrentMagnetic Flux Hall voltage霍尔霍尔系数a--电流和磁场方向的夹角所产生的电动势为下面的式子(N型半导体)

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中磁场方向垂直于薄片当有电流I 流过薄片时在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH这种现象称为霍尔效应 磁感应强度B为零时的情况cdab第九章 霍耳传感器测量原理：利用半导体材料的霍耳效应进行测量第一节 霍耳传感器的工作原理一霍尔效应磁感应强度B 较大时的情况

霍尔传感器原理2012年09月04日 18:19 来源：本站整理 ：秩名  HYPERLINK :.elecfansarticledianqi201220120904287282 lment t _self 我要评论(0)霍尔传感器是一种磁传感器用它可以检测磁场及其变化可在各种与磁场有关的场合中使用霍尔传感器以霍尔效应为其工作基础是由霍尔元件

( 宜 春 学 院 物 理 科 学 与 工 程 技 术 学 院 宜 春 江 西 336000) : 阐 述 了 霍 尔 效 应 的 原 理 并 将 霍 尔 效 应 理 论 与 自 由 电 子 气 模 型 联 系 起 来 得 到 霍 尔 效 应 的 新 应 用即 用 来 测 量 阿 伏 加 德 罗 常 数 本 文 主 要 探 讨 用 霍 尔 效 应 测 量 阿 伏 加 德 罗 常 数 的 可 行 性

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 电子传感器的相关知识：20110205121 各式各样的传感器 霍尔传感器是一种基于霍尔效应的磁电传感器由于半导体比金属有高得多的霍尔系数故用半导体制成的霍尔传感器具有对磁场敏感度高结构简单使用方便等特点不仅用于测量电流电压功率和磁感应强度等电磁参数在非电量测量技术中还广泛用于测量直线位移角位移与压力等非电量 霍

1430 ?m厚的蓝宝石衬底上生长2 ?m厚的GaN半导体材料由霍尔效应测得载流子导电类型为n型载流子面密度为2? 1013 cm-2迁移率为400 cm2Vs求该GaN薄膜的方块电阻(??)载流子浓度(cm-3)以及电阻率解：如图 取该GaN薄膜上一正方形边长为L已知膜厚t=2 ?m载流子面密度ns=2? 1013 cm-2迁移率?n=400

磁敏传感器总结磁敏传感器是利用半导体材料中的自由电子或空穴随磁场改变其运动方向这一特性而制成的传感器件磁敏传感器一般被用来检测磁场的存在变化方向以及磁场强弱以及可引起的磁场变化物理量目前的传感器的品种很多例如霍尔器件磁敏二极管三极管半导体型磁敏电阻器件以及AMRGMR磁敏传感器GMI(巨磁阻抗)传感器等磁敏传感器的理论基础是霍尔效应或磁阻效应霍尔效应在霍尔片(霍尔片是一块矩形半导体薄片一般采

基于霍尔效应石英玻璃泡壳壁厚测量方法的研究1何荣开2孟虎1东南大学电光源研究中心 南京 2100962中国船舶重工第702研究所 无锡 214082摘要：基于霍尔效应的霍尔传感器在不同磁场强度与产生的霍尔电压成正比根据霍尔效应原理设计测量探头用于测量金属卤化物灯电弧管石英玻璃泡壳壁厚在泡壳内部放置磁性钢球磁性钢球离探头距离为泡壳的壁厚磁性钢球的磁场使霍尔传感器产生的霍尔电压二者数值成正

霍尔效应及其应用霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象故称霍尔效应后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用随着半导体材料和制造工艺的发展人们又利用半导体材料制成霍尔元件由于它的霍尔效应显著结构简单形小体轻无触点频带宽动态特性好寿命长因而被广泛应用于自动化技术检测

霍尔效应科技名词定义中文名称：霍尔效应 英文名称：Hall effect 定义1：在物质中任何一点产生的感应电场强度与电流密度和磁感应强度之矢量积成正比的现象 所属学科：  t _blank 电力（一级学科）  t _blank 通论（二级学科） 定义2：通过电流的半导体在垂直电流方向的磁场作用下在与电流和磁场垂直的方向上形成电荷积累和出现电势差的现象 所属学科：  t _b

3 6 ( 2 0 0 7 ) 5 　　　　　　　　　　　　　h t t p : l i .a c . c n 梁 拥 成1 3 　　 张　 英2 　　 郭 万 林1 　　 姚 裕 贵3 　　 方　 忠3 ( 1 　 　 　2 1 0 0 1 6)( 2 　 　 　1 0 0 8 7 5)(3　 　 　 　1 0 0 0 8 0) 　 　　 ( ) . 　　 - Pr o

实验简介在磁场中的载流导体上出现很想电势差的现象是24岁的研究生霍尔（Edwin H. Hall）在1879年发现的现在称之为霍尔效应随着半导体物理学的迅猛发展霍尔系数和电导率的测量已经称为研究半导体材料的主要方法之一通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型载流子浓度载流子迁移率等主要参数若能测得霍尔系数和电导率随温度变化的关系还可以求出半导体材料的杂质电离能和材料的禁带宽度

金华舒芯微电子有限 Tel:0579-82262368 fax:0579-82262378 - 1 - 线形霍尔效应集成电路 线形霍尔效应集成电路 线形霍尔效应集成电路 线形霍尔效应集成电路 S49EH 概述 概述 概述 概述 S49EH是一块线形霍尔效应集成电路输出电压随着磁通密度的变化而变化能检测出细微的磁场变化情况它可应用于测量物体的运动距离位置传感器等方面也适合在环境恶劣或污染严

第5章 霍尔式传感器第5章 霍尔式传感器第5章 霍尔式传感器第5章 霍尔式传感器5.1 霍尔效应及霍尔元件 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应 但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用随着半导体技术的发展 开始用半导体材料制成霍尔元件 由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展 霍尔传感器广泛用于电磁测量压力加速

2010 － 12－ 20 1965 － ． 2011 4 Apr . 2011 30 2 Jour na lofChongq i ngUni ver si ty ofAr ts a nd Sci ences Na tur a lSci enceEdi ti on V ol .30 354300 ． O471． 4 A 1673 － 8012 2011 02－ 0041 － 04 ———