模拟电子技术基础 第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体加入( C )元素可形成P 型半导体 A.五价 B. 四价 C. 三价(2)当温度升高时二极管的反向饱和电流将(A) A.增大 B.不变

模拟电子技术基础电子与信息工程学院绪 论电子器件的发展课程简介及教学目的电子技术基础的研究对象电子系统与信号放大电路的基本知识课程特点学习方法小结学习指导作业学习指导 电子技术的基本任务为信号的产生信号的传输信号的处理任务的完成取决于对电子器件电子电路电子系统的性能的研究 按照功能和构成原理的不同电子电路可分为模拟电路和数字电路两大类 本课程着重讨论模拟电路的

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1.5 晶闸管 晶闸管：又称可控硅(SCR)它能在高电压大电流条件下工作具有耐压高容量大体积小等优点它是大功率开关型半导体器件广泛应用在电力电子线路中 可控硅分单向可控硅双向可控硅一单向晶闸管(可控硅)平板形 螺栓形A：阳极 G：控制极 C：阴极结构图和等效电路1当

第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si锗Ge)2.特性---光敏热敏和掺杂特性3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体 4. 两种载流子 ----带有正负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体体现的是半导体的掺杂特性 P型半导体: 在本征半导体中掺入微量

模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体加入( C )元素可形成P 型半导体 A.五价 B.四价 C.三价(2)当温度升高时二极管的反向饱和电流将(A) A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管如果当IB 从12

2006级 模拟电子技术基础课程试题(A卷)题号一二三四五六七总分分数合分人： 复查人： 一填空：(每空1分共 30 分)分数评卷人1．晶体管用于放大电路时应使发射结处于 偏置集电结处于 偏置NPN三极管用于放大时 电位最高 次之 电位最低PNP三极管用于放

第一章　常用半导体器件通信工程研室－－模拟电路多媒体课件—多媒体教学课件模拟电子技术基础Fundamentals of Analog Electronics童诗白华成英　　主编1. 本课程的性质 是一门技术基础课2. 特点 ?非纯理论性课程 ?实践性很强 ?以工程实践的观点来处理电路中的一些问题3. 研究内容 以器件为基础

第一章 半导体器件第一章　半导体器件1.1　半导体的特性1.2　半导体二极管1.3　双极型三极管(BJT)1.4　场效应三极管1.1　半导体的特性　　1. 导体：电阻率 ? < 10-4 ? · cm 的物质如铜银铝等金属材料　　2. 绝缘体：电阻率 ? > 109 ?· cm 物质如橡胶塑料等　　3. 半导体：导电性能介于导体和半导体之间的物质大多数半导体器件所用的主要材料是硅(Si)和锗(Ge

2006级 模拟电子技术基础课程试题(B卷)题号一二三四五六七八总分分数合分人： 复查人： 一填空：(每空1分共 20 分)分数评卷人1．如果在本征半导体中掺入少量三价铟元素将产生 形成 型半导体2．三极管工作在饱和区时其发射结处于 偏置集电结处于 偏置3．乙类功放电

如何学好模拟电路1先看基本书童诗白《模拟电子技术基础》Razavi的Design of Analog CMOS Integrated Circuits(全世界做模拟的对刚进来的人都要求看)先疯狂地看完拉扎维的《模拟cmos集成电路设计》再疯狂地将拉扎维的《模拟cmos集成电路设计》看一遍最后疯狂地把他的习题做完这时基本有点模拟集成电路的概念了再找几个小电路仿真一下调一个运放试试看要是还是

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级华成英 hchyatsinghua.edu模拟电子技术基础清华大学 华成英绪 论一电子技术的发展二模拟信号与模拟电路三电子信息系统的组成四模拟电子技术基础课的特点五如何学习这门课程六课程的目的七考查方法一电子技术的发展 电子技术的发展推动计算机技术的发展使之无孔不入应用广泛广播通信：发射机接收机扩音录音程控交