常温半导体探测器发展现状摘要：半导体探测器是20世纪60年代以后迅速发展起来的一种新型核辐射探测器现在广泛采用的Si(Li)探测器HPGe探测器大都要求在液氮温度(77K)下保存或者使用而且其应用范围也比较狭窄不能在野外等比较恶劣的条件下使用因此需要研究出一种能够在常温下工作而起限制条件不多的探测器来满足日趋频繁的测量活动本文就将介绍几种在常温下工作的探测器关键字：常温半导体探测器 发展 化

第四章　　同位素仪器仪表凡带有放射性核素源或核辐射探测器的检测仪表统称为放射性核素仪表(也称核仪器仪表或同位素仪器仪表)同位素仪器仪表一般由放射源核辐射探测器电转换器二次仪表等几部分构成同位素仪器仪表的最大特点是能进行非接触式无损检测特别适用于其它仪表难于或不能使用的高温高压易爆有毒等具有腐蚀性的对象和环境的测量控制因此在特定条件下就成了某些系统中的关键设备是国民经济建设许多领域中不可缺少的

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级核辐射测量方法单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第四章 核辐射探测器核辐射测量方法4.1 概述1 探测器的发展1908年气体电离室(G-M计数器)问世1948年二次大战以后光电倍增管的应用使闪烁计数器(Scintillation)得到广泛应用1940年末有人发现Ge半导体点接触性二极管在受

《核辐射探测器与核电子学》期末考试复习题填空题(20分每小题2分)α粒子与物质相互作用的形式主要有以下两种：激发电离γ射线与物质相互作用的主要形式有以下三种：康普顿散射光电效应形成电子对β射线与物质相互作用的主要形式有以下四种：激发电离形成离子对形成电子-空穴对轫致辐射由NaI(Tl)组成的闪烁计数器分辨时间约为：几μsＧ-Ｍ计数管的分辨时间大约为：一百μs电离室正比计数管G-M计数管输出的

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级核辐射探测器单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级核辐射探测器单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级核辐射探测器单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级核辐射探测器单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四