INFO130024.01集成电路工艺原理第二章 晶体生长集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1上节课主要内容CMOS工艺：光刻氧化扩散刻蚀等硅技术的历史沿革和未来发展趋势：晶体管的诞生集成电路的发明平面工艺的发明CMOS技术的发明摩尔定律(Moores law)VLSISoCSIPConstant-field等比例缩小原则ITRS：技术代节点2大纲

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级目录绪论第一章 衬底制备第二章 外延第三章 氧化第四章 光刻第五章 制版第六章 扩散第七章 隔离第八章 电极制备及封装 绪 论一概念集成电路(Integrated Circuits)――就其本质来说是将晶体管二极管等

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级《电子信息工程专业英语教程》Unit 1 Electronic Devices Lesson 1 VLSI Technology《电子信息工程专业英语教程》任治刚 主编电子工业出版社 .phei41120221《电子信息工程专业英语教程》Lesson 1 VLSI Technology Background