一次清洗工艺说明1.目的确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态2.使用范围适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序3.责任本工艺说明由技术部负责4.硅片检验4.1 将包装箱打开查看规格电阻率厚度单多晶厂家编号是否符合要求4.2 检查硅片是否有崩边裂纹针孔缺角油污划痕凹痕(见附图一二) 4.3 将不合格品放置规定碎片盒子内 作统一处理5.装片(见附图三)5.1 片盒保持干净片

第三章 实验室净化及硅片清洗集成电路工艺原理1内容第一章 前言第二章 晶体生长第三章 实验室净化及硅片清洗第四章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子注入第八章 薄膜淀积第九章 刻蚀第十章 工艺集成2三道防线:环境净化(clean room)硅片清洗(wafer cleaning)吸杂(ge

INFO130024.01集成电路工艺原理第三章 实验室净化及硅片清洗集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1硅单晶的制备： 掺杂分布： 有效分凝系数衬底制备：晶体缺陷：本节课主要内容CZ 直拉法 悬浮区熔法整形晶体定向晶面标识晶面加工点缺陷线缺陷面缺陷体缺陷2大纲 (2)第一章 前言第二章

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级一次二次清洗工艺简介2010年11月3日一次清洗目录1 引言2 原理概述2.1 清洗2.2 去机械损伤层2.3 制绒3 工艺相关3.1 单晶工艺3.2 多晶工艺3.3 清洗操作流程及说明4 检验5 安全相关1 引言分选测试PECVD一次清洗二次清洗烧结印刷电极周边刻蚀检验入库扩散1 引言一次清洗工序包括了三个过程分别是硅片的清

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1硅片的清洗与制绒电池技术部 2008年12月2硅片的化学清洗 由硅棒硅锭或硅带所切割的硅片表面可能沾污的杂质可归纳为三类：①油脂松香蜡环氧树脂聚乙二醇等有机物②金属金属离子及一些无机化合物③尘埃及其他颗粒(硅碳化硅)等 硅片表面沾污的杂质3硅片的化学清洗 颗粒沾污：运用物理方法可采取机械擦洗或