第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数解：2. 试证明实际硅锗中导带底附近状态密度公式为式(3-6)3. 当E-EF为1.5k0T4k0T 10k0T时分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率费米能级费米函数玻尔兹曼分布函数1.5k0T0.1820.2234k0T0.0180.018310k0T4. 画出-78oC室温(27 oC)500

第二章习题 1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么 答：(1)理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上实际半导体中原子不是静止的而是在其平衡位置附近振动 (2)理想半导体是纯净不含杂质的实际半导体含有若干杂质 (3)理想半导体的晶格结构是完整的实际半导体中存在点缺陷线缺陷和面缺陷等2. 以As掺入Ge中为例说明什么是施主杂质施主杂质电离过程和

第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： (K)=(1)禁带宽度(2)导带底电子有效质量(3)价带顶电子有效质量(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：(1) 2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格当外加102Vm107 Vm的电场时试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间解：根据： 得 补充题1分别计

第五章习题 1. 在一个n型半导体样品中过剩空穴浓度为1013cm-3 空穴的寿命为100us计算空穴的复合率2. 用强光照射n型样品假定光被均匀地吸收产生过剩载流子产生率为空穴寿命为? (1)写出光照下过剩载流子所满足的方程 (2)求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度3. 有一块n型硅样品寿命是1us无光照时电阻率是10??cm今用光照射该样品光被半导体均匀的吸收电子-空穴对的产

单击此处编辑母版标题样式半导体器件单击此处编辑母版标题样式半导体物理学刘恩科半导体物理学教材:《半导体物理学》(第六版)刘恩科等编著电子工业出版社参考书：《半导体物理与器件》(第三版)Donald A.Neamen著电子工业出版社 课程考核办法 :本课采用开卷笔试的考核办法第九周安排一次期中考试总评成绩构成比例为：平时成绩10 期中考试45期末考试45半导体物理学半导体中的电子状态半导体中杂质和缺

单击此处编辑母版标题样式半导体器件半导体物理学半导体物理学教材:《半导体物理学》(第六版)刘恩科等编著电子工业出版社参考书：《半导体物理与器件》(第三版)Donald A.Neamen著电子工业出版社 课程考核办法 :本课采用开卷笔试的考核办法第九周安排一次期中考试总评成绩构成比例为：平时成绩10 期中考试45期末考试45半导体物理学半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布

《半导体物理学》课程辅导教案关于教案的几点说明:教案的基本内容:包括课程的课程重点课程难点基本概念基本要求参考思考题和自测题教学进度及学时分配.教材:采用高等学校工科电子类(电子信息类)规划教材《半导体物理学》由刘思科朱秉升罗晋生等编写.本教材多次获奖如全国高等学校优秀教材奖电子类专业优秀教材特等奖普通高等学校教材全国特等奖.参考(书目)叶良修(北大)《半导体物理学》刘文明(吉大)《

第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=(1)禁带宽度 导带底电子有效质量价带顶电子有效质量(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：(1) 2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格当外加102Vm107 Vm的电场时试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间解：根据： 得 补充题1分别计算

单击此处编辑母版标题样式 单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级西安理工大学电子工程系　马剑平一填空1. 化合物半导体的禁带宽度一般随平均原子系数的增加而 其离子键成分随着构成元素电负性差别的增大而 2. 在半导体硅中杂质磷起 作用Al起 作用同时含磷和铝但铝浓度高的Si是 型半导体3. II-VI族

半导体中的电子状态习题什么叫本征激发温度越高本征激发的载流子越多为什么试定性说明之试定性说明GeSi的禁带宽度具有负温度系数的原因1-3试指出空穴的主要特征1-4简述GeSi和GaAS的能带结构的主要特征1-5某一维晶体的电子能带为其中E0=3eV晶格常数a=5х10-11m求：能带宽度能带底和能带顶的有效质量题解： 解：在一定温度下价带电子获得足够的能量(≥Eg)被激发到导带成为导电电子的