单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1. P型半导体霍耳效应的形成过程 一P型半导体霍尔效应 §4-5 半导体的霍尔效应BzdbVHIlBAzyx○_fεxfLfεy电场力：fε=qεx 磁场力：fL=qBz y方向的电场强度为：εy 平衡后： fεxfLqεy 令： (RH)P为P型材料的霍尔系数两种载流子同时存在霍尔效应 有四种横向电流分

模拟电子技术基础上页下页返回杂质半导体 在本征半导体硅或锗中掺入微量的其它适当元素后所形成的半导体根据掺杂的不同杂质半导体分为N型导体P型导体1. N型半导体 掺入五价杂质元素(如磷砷)的杂质半导体444444444掺入少量五价杂质元素磷P444444444P多出一个电子出现了一个正离子44444444P半导体中产生了大量的自由电子和正离子c. 电子是多数载流子简称多子空穴是少