Title of this SliceFirst Subtitel2nd level3rd Level4th Level5th Level1第五章 MOS 场效应晶体管5.1 MOS场效应管 5.2 MOS管的阈值电压5.3 体效应 5.4 MOSFET的温度特性 5.5 MOSFET的噪声5.6 MOSFET尺寸按

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级§3-5 晶体管的反向特性 当发射极开路时IE = 0 但这并不意味VBE = 0 那么VBE 应当为多少呢根据边界条件知当VBC < 0 时在基区中靠近集电结的一侧有： 1浮空电势 基区中的部分少子电子被集电结上的反偏扫入集电区但因 IE = 0 基区少子得不到补充使在靠近发射结一侧有：np(