LED外延片及知名生产企业介绍外延生长的基本原理是在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石(Al2O3)和SiCSi)上气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面生长出特定单晶薄膜 ??目前 HYPERLINK :baike.ofweek320 o LED外延片 t _blank LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法基本原理Ⅲ-V族氮化合

从蓝宝石衬底供给看LED行业的过剩情况　　进入2010年业界关于蓝宝石衬底紧缺价格上涨限制LED产业快速发展的论调一直存在蓝宝石衬底是否真的紧缺是否会持续影响到未来几年LED产业的发展本文通过倒推法由LED产品的终端需求依次推导芯片外延片蓝宝石基板蓝宝石晶棒蓝宝石坯料的需求量得出蓝宝石晶棒基板等的供给完全可以支持今明两年的LED终端产品需求的结论而目前蓝宝石相关产品价格的飙升是源于MOCVD

《MOCVD技术在光电薄膜方面的应用及其最新进展》摘要：随着科技的发展MOCVD技术在光电薄膜的方面的应用越来越广泛在技术上主要的特点是温度控制系统压力和压差控制技术及MOCVD技术优缺点有关MOCVD技术在光电薄膜方面的新应用和发展趋势关键字：MOCVD技术 半导体材料 气态源 液态源 微电子 光电子引言近年来随着半导体工业的发展以及高速光电信息时代的来临LPEVPE等技术在半

LED生产流程LED芯片的制造工艺流程外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiCSi)上气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面生长出特定单晶薄膜目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法 　　MOCVD介绍：　　金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition简称 MOCVD) 1968

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级生产厂家情况德国AIXTRON(德国艾思强)2008年AIXTRONMOCVD复合半导体设备的全球占有率达到72美国VEECO(美国维易科精密仪器有限)占20以上日亚和丰田合成自主研发仅供自用日本酸素(NIPPON Sanso)和日新电机(Nissin Electric)等其市场基本限于日本国内不对外国

摘要：MOCVD外延技术是国内目前刚起步的技术本文主要介绍外延的基本原理以及目前世界上主要外延生产系统的设计原理及基本构造??? 外延生长的基本原理是在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和SiC两种)上气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面生长出特定单晶薄膜目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法 MOCVD ??? 金属有机物化学气相淀积(Metal-Orga

MOCVD设备与应用概况? ?德国AIXTRON(德国艾思强)和美国VEECO(美国维易科精密仪器有限)两家几乎生产了全球90以上的主流MOCVD设备1生产效率和成本概况国际上MOCVD技术已经相当成熟主流设备从2003 年6-8 片机2004 年12 片机2005 年15片机2006 年的21-24 片机目前已经达到424549 片机(一次可装载49片2英寸的衬底生长外

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级LED工艺简介LED 发光管是怎样练成的衬底材料生长或购买衬底LED结构MOCVD生长芯片加工芯片切割器件封装Sapphire蓝宝石 2-inch衬底片 氮化物LED发光管的器件结构及发光机理electrons电子空穴复合发光P 欧姆接触N 欧姆接触蓝宝石或碳化硅MOCVD外延蓝宝石缓冲层N-GaNp-Ga