P.按一下以編輯母片標題樣式按一下以編輯母片第二層第三層第四層第五層Power MOS process flow(Etch related)P.1Process stage relative to Etch by product type P.21P1M POWER NMOSFETEPI (N- Phosphorus dopant 0.13 0.17 0.2 ohm-cm)Wafer Sta

Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth level:.dlit.edu.tw ?2005 DLIT All rights reserved 半導體製造技術第 16 章蝕刻 DE LIN INSTITUTE OF T

刻蚀基础()湿式蚀刻技术? ?? ???最早的蚀刻技术是利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光阻覆盖的部分而达到蚀刻的目的这种蚀刻方式也就是所谓的湿式蚀刻因为湿式蚀刻是利用化学反应来进行薄膜的去除而化学反应本身不具方向性因此湿式蚀刻过程为等向性一般而言此方式不足以定义3微米以下的线宽但对于3微米以上的线宽定义湿式蚀刻仍然为一可选择采用的技术? ?? ???湿式蚀刻之所以在

简介?在积体电路制造过程中常需要在晶圆上定义出极细微尺寸的图案(图案)这些图案主要的形成方式乃是藉由蚀刻(蚀刻)技术将微影(微光刻)后所产生的光阻图案忠实地转印至光阻下的材质上以形成积体电路的复杂架构因此蚀刻技术在半导体制造过程中占有极重要的地位?广义而言所谓的蚀刻技术包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部份去除的技术而其中大略可分为湿式蚀刻(湿蚀刻)与干式蚀刻(干式蚀刻)两种技术?早期半导

簡介在積體電路製造過程中常需要在晶圓上定義出極細微尺寸的圖案(Pattern)這些圖案主要的形成方式乃是藉由蝕刻(Etching)技術將微影(Micro-lithography)後所產生的光阻圖案忠實地轉印至光阻下的材質上以形成積體電路的複雜架構因此蝕刻技術在半導體製造過程中佔有極重要的地位廣義而言所謂的蝕刻技術包含了將材質整面均勻移除及圖案選擇性部份去除的技術而其中大略可分為濕式蝕刻(We

蚀刻技术最早的蚀刻技术是利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光阻覆盖的部分而达到蚀刻的目的这种蚀刻方式也就是所谓的湿式蚀刻因为湿式蚀刻是利用化学反应来进行薄膜的去除而化学反应本身不具方向性因此湿式蚀刻过程为等向性一般而言此方式不足以定义3微米以下的线宽但对于3微米以上的线宽定义湿式蚀刻仍然为一可选择采用的技术湿式蚀刻之所以在微电子制作过程中被广泛的采用乃由于其具有低成本高可靠

专有名词解说—ETCH ◆ 英文名词 ： ETCH◆ 中文名词 ： 蚀刻定义：利用物理化学或是物理加化学的方式将材料移除的过程说明：使用物理方法(离子撞击)或是化学方法(薄膜与气体或是液体反应)将薄膜或是基材不需要的部分去除需要的部分可以由Mask保护保留下来使用例子：Poly etchSiN etchContact etchMetal etchPad etch 蚀 刻 制 程 示 意 图

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级POLYP0LYCIDE 腐蚀工艺简介CRITICAL DEVICE REQUIRMENTS FOR POLYSILICON ETCHINGHigh selectivity to gate or capacitor dielectricHigh fidelity mask replication——CD control——