单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级CMOS工艺流程介绍西安电子科技大学刘帘曦西安电子科技大学1CMOS工艺流程介绍一基本的CMOS半导体制造流程二CMOS工艺技术三PCM参数介绍四MOS场效应管五无源器件西安电子科技大学2一基本的MOS半导体制造工艺西安电子科技大学基本步骤：氧化层的生长(隔离层)扩散(杂质高浓度－低浓度)离子注入淀积光刻外延生长3硅工艺的分类

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第二章 集成电路制作工艺2.1.1 集成电路加工的基本操作2.1.2 MOS结构和分类2.2.1 N阱CMOS工艺2.2.2 深亚微米CMOS工艺2.3.1 CMOS IC中的寄生效应2.3.2 SOI工艺2.3.3 CMOS版图设计规则半导体制造工艺分类PMOS型双极型MOS型CMOS型NMOS型BiMOS饱和型非饱和型TT

基 于 CMOS 的 D 触 发 器 的 设 计 一设计目的：1进一步熟悉cadence软件的使用2掌握cadence的原理图编辑及修改方法3掌握cadence前仿的参数设置和方法4掌握D触发器的功耗截止频率和瞬态仿真二设计和原理：触发器是一个具有记忆功能的二进制信息存储器件是构成多种时序电路的最基本逻辑单元D触发器在CLK 有效电平期间将D的状态输出用CMOS 做器件是集成电路的发展方