P.按一下以編輯母片標題樣式按一下以編輯母片第二層第三層第四層第五層Power MOS process flow(Etch related)P.1Process stage relative to Etch by product type P.21P1M POWER NMOSFETEPI (N- Phosphorus dopant 0.13 0.17 0.2 ohm-cm)Wafer Sta
PWM控制芯片SG3525功能简介 随着电能变换技术的发展功率MOSFET在开关变换器中开始广泛使用为此美国硅通用半导体(Silicon General)推出SG3525SG3525是用于驱动N沟道功率MOSFET其产品一推出就受到广泛好评SG3525系列PWM控制器分军品工业品民品三个等级下面我们对SG3525特点引脚功能电气参数工作原理以及典型应用进行介绍 SG3525是电流控制型P
同步整流原理同步整流(SynchronousRectification)是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET取代传统的整流二极管以降低整流损耗的技术它能够大大提高DCDC变换器的效率并不存在由快速恢复二极管势垒电压造成的死区电压同步整流的基本原理:单端正激隔离降压同步整流的基本原理电路中其中Q1Q2为功率MOSFET该电路的工作原理为在次级电压的正半周期Q1导通Q2关断在次级电压的负半周
SG3525构成的主要的逆变电源电路图随着电能变换技术的发展功率MOSFET在开关变换器中开始广泛使用为此美国硅通用半导体(Silicon General)推出SG3525SG3525是用于驱动N沟道功率MOSFET其产品一推出就受到广泛好评SG3525系列PWM控制器分军品工业品民品三个等级下面我们对SG3525特点引脚功能电气参数工作原理以及典型应用进行介绍 SG3525是电流控
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