单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第8章 光电成像器件8.1 概述1.光电成像器件的发展 ①1934年成功研制出光电摄像管 ②1947年成功研制超正析像管 ③1954年研制出灵敏度较高的视像管 ④1965年诞生了灵敏度高分辨高惯性小的氧化铅摄像管 ⑤1976年研制出成本更低灵敏度更高的硒靶管和硅靶管 1970年美国贝尔实验室发表了电荷耦合器件原理2.光电

CCD工作原理电荷耦合器件(Charge Coupled Device)的突出特点是以电荷作为信号而不同于其他大多数器件是以电流或电压为信号CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移因此其工作过程中的主要问题是信号电荷产生存储传输和检测CCD有两种基本类型：一是电荷包存储在半导体与绝缘层之间的界面并沿界面传输这类器件称为表面沟道CCD(简称SCCD)二是电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内并

CCD的基本结构和工作原理电荷耦合器件的突出特点是以电荷作为信号而不同于其他大多数器件是以电流或电压为信号CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移因此CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生存储传输和检测CCD有两种基本类型：一是电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面并沿界面传输这类器件称为表面沟道CCD(简称SCCD)二是电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内并在半导体体内沿一定方向传输这类

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级光电科学与工程学院College Of Optoelectric Science and Engineering5.3.1 电荷耦合器件(CCD 器件)Charge Coupled Device 简称CCD1. CCD的结构与工作原理2. CCD的主要特性参数3. CCD摄像器件第四节：电荷耦合器件(CCD)