#低电压电路# 相关文档
-
ESD Technology 经典资料(第六部分).doc
ESD Technology 经典(6)第六部分图6.4-7 因此在深次微米低电压的制程下不需利用额外的制程处理其ESD防护能力仍可藉由图6.4-7的设计而大幅提升当制程技术进步到深次微米的地步前述的磊晶沈积芯片将已大幅地被采用且由于低电压的工作需求电路的VDD电压亦下降至仅约2.5V或1.8V而已因此NTLSCR与PTLSCR组件的Holding Voltage可以很容易地利用适当
日期：2022-04-12 格式：.docx 页数：6页 大小：698.5KB 发布：
- 1
- 1/1页
客服
顶部