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IGBT原理及特点(1)2009-10-09 20:43IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点GTR饱和压降低载流密度大但驱动电流较大MOSFET驱动功率很小开关速度快但导通压降大
IGBT详细解析 概述 HYPERLINK :baike.baidualbums115175115175 l 0 566d0fdf51a79653632798a9 o 查看图片 t _blank ?? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅 HYPERLINK
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅 HYPERLINK :baike.baiduview295815.htm t _blank 双极型晶体管是由BJT(双极型 HYPERLINK :baike.baiduview3794.htm t _blank 三极管)和MOS( HYPERLINK :