内容简介：半导体存储器是微电子技术发展的重要研究领域和支撑技术本课程主旨为通过对各种主流存储器的基本理论器件电路及工艺技术和新型存储器技术的综合讲解促进学生掌握半导体存储器的设计实现方法并提高对专业知识的综合应用能力 :

习题四参考答案某机主存储器有16位地址字长为8位如果用1k×4位的RAM芯片构成该存储器需要多少片芯片该存储器能存放多少字节的信息片选逻辑需要多少位地址解：需要存储器总容量为：16K×8位故(1)需要1k×4位的RAM芯片位32片(2)该存储器存放16K字节的信息(3)片选逻辑需要4位地址2. 用8k×8位的静态RAM芯片构成64kB的存储器要求：(1)计算所需芯片数(2)画出该存储器组成逻

一．用64K×16位片的SRAM存储器芯片设计一个总容量为256K×32位存储器CPU地址总线为A19A0(低位)双向数据总线D31D0(低位)读写控制信号为 芯片的片选控制信号为? 请写出片选信号逻辑式绘出该存储器逻辑框图注明各信号线　【分析】用64K×16位／片的RAM存储芯片构成一个256K×32位的存储器所需的芯片数量为：(256K × 32)(64K × 16)=8片每两片作为一组

1(10分)某半导体存储器容量7k×8位其中ROM区为4k×8位用4k×8的ROM芯片组成RAM区为3k×8位用2k×4的SRAM芯片和1k×4的SRAM芯片组成ROM区地址从0开始SRAM区地址随后地址总线A15A0数据总线D7D0控制读写访存控制信号为要求：(1)分别分析4K2K1K存储区域的地址范围 (4分) (2)写出地址译码方案 (2分)(3)设计并画出该存储器逻辑图

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第七章 半导体存储器本章的重点： 1．存储器的基本工作原理分类和每种类型存储器的特点 2．扩展存储器容量的方法 3．用存储器设计组合逻辑电路的原理和方法 因为存储器几乎都作成LSI器件所以这一章的重点内容是如何正确使用这些器件存储器内部的电路结构不是课程的重点本章的难点： 在本章的重点内容中基本没有难点

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第六章 存储器设计本教案内容第6章 存储器设计1.存储器分类及主要技术指标 2.常用存储器芯片介绍3.扩展存储器设计 位扩展字节扩展字节和位扩展存储器地址译码扩展存储器接口电路设计总线负载能力6.3 扩展存储器设计　　在微机系统中存储器是按字节来构成的而所选择的存储器芯片的字长不足8位时用这样的存储器芯片构成系统所需的存

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级复杂逻辑电路设计实验内容 (1)FIFO存储器的设计 (2)熟悉modelsim设计环境 FIFO是英文First In First Out 的缩写是一种先进先出的数据缓存器他与普通存储器的区别是没有外部读写地址线这样使用起来非常简单但缺点就是只能顺序写入数据顺序的读出数据其数据地址由内部读写指