单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级绝缘栅双极晶体管IGBTGTR和GTO的特点——双极型电流驱动有电导调制效应通流能力很强开关速度较低所需驱 动功率大驱动电路复杂MOSFET的优点——单极型电压驱动开关速度快输入阻抗高热稳定性好所需驱动功率小而且驱动电路简单两类器件取长补短结合而成的复合器件—Bi-MOS器件?绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate B

1.IGBT的基本结构绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层根据国际电工委员会的文件建议其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构N区称为源区附于其上的电极称为源极 N 区称为漏区器件的控制区为栅区附于其上的电极称为栅极沟道在紧靠栅区边界形成在漏源之间的P型区(包括P和P一区)(沟道在该区域

一单项选择(第1题第800题选择一个正确的答案将相应的字母填入题内的括号中)1. 在电力电子装置中电力晶体管一般工作在D状态A放大 B截止 C饱和 D开关2. PLC可编程序控制器依据负载情况不同输出接口有A类型种A3 B1 C2 D43. 磁尺主要参数有动态范围精度分辨率其中动态范围应为CA140m B110m C120m D150m4. 绝缘栅双极晶体管属于A控制元件A电压 B电流 C功