单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第七章 刻蚀工艺基本概念定义:用光刻方法制成的微图形只给出了电路的行貌并不是真正的器件结构因此需将光刻胶上的微图形转移到胶下面的各层材料上去这个工艺叫做刻蚀41820221目的:把经过曝光 显影后的光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉 即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形41820222§2 VLSI对图形转移的要求保真度