二00四至二00五学年第一学期一选择填空(含多选题)(18分)1与半导体相比较绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量( A )A比半导体的大 B比半导体的小 C与半导体的相等2室温下半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3同时掺有浓度为1.1×1015cm-3的磷则电子浓度约为( B )空穴浓度为( D)费米能级为(G)将该半导体由室温度升至570K则多子浓度
二00四至二00五学年第一学期一选择填空(含多选题)(18分)1与半导体相比较绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量( A )A比半导体的大 B比半导体的小 C与半导体的相等2室温下半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3同时掺有浓度为1.1×1015cm-3的磷则电子浓度约为( B )空穴浓度为( D)费米能级为(G)将该半导体由室温度升至570K则多子浓度