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IGBT通态饱和压降测试方法.docx
IGBT通态饱和压降测试方法??????? HYPERLINK IGBT饱和压降VCEsat：在门极电压驱动下IGBT工作于饱和区IGBT集电极(C)与发射极(E)之间的电压差不同的门极电压对应不同的饱和压降饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标在门极驱动电压存在的情况下发生IGBT过流VCE会急剧上升一般当VCE大于饱和压降10us左右IGBT就会损坏?????? 在IGBT工作
日期：2022-05-07 格式：.docx 页数：3页 大小：97.07KB 发布：
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