Master title styleClick to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth level2013-03-17??第 四 章 固体的能带理论 什么是能带 能带中基本概念如价带导带 怎么区分导体和绝缘体 能隙产生的原因 如何用能带理论论述导电 能带理论的近似思想本讲要点第 四 章 固体的能带理论 研究固体中电子运动

2011年硕士研究生入学考试大纲考试科目名称：半导体物理 考试科目代码：[806]考试要求：全面系统地掌握半导体物理的基本概念基本原理和物理过程并能够运用理论对实际问题进行分析和计算二考试内容：能带论a: 半导体电子状态和能带b: 半导体电子的运动c: 本征半导体的导电机构d: 硅和锗的能带结构2) 杂质半导体理论a: 硅和锗晶体中的杂质能级b: 缺陷位错能级3) 载流子的统

一章二章三章四章 能带1.布洛赫电子论作了哪些基本近似它与金属自由电子论相比有哪些改进解：布洛赫电子论作了3条基本假设即 = 1 GB3 ①绝热近似认为离子实固定在其瞬时位置上可把电子的运动与离子实的运动分开来处理 = 2 GB3 ②单电子近似认为一个电子在离子实和其它电子所形成的势场中运动 = 3 GB3 ③周期场近似假设所有电子及离子实产生的场都具有晶格周期性布洛

单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式半导体物理单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式2007.11.1半导体物理复习课第一章 半导体中的电子状态晶体结构与共价键金刚石型结构闪锌矿型结构纤锌矿型结构氯化钠型结构能级与能带电子在原子核势场和其他电子作用下分列在不同能级相邻原子壳层形成交叠原子相互接近 形成晶体共有化运动共有化运

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体物理复习第一章一基本概念1. 能带允带禁带K空间的能带图能带: 在晶体中可以容纳电子的一系列能级允带：分裂的每一个能带都称为允带禁带：晶体中不可以容纳电子的一系列能级K空间的能带图：晶体中的电子能量随电子波矢k的变化曲线即E(K)关系(1)越靠近内壳层的电子共有化运动弱能带窄(2)各分裂能级间能量相差小看作准连续(3)

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第十章 10.1固体中的化学键10.2能带理论10.3晶体轨道法及应用简介10.4一维导体的金属—绝缘体相变(Peierls相变)10.1 固体中的化学键 固体可看作大分子 有关分子化学键讨论同样适用固体晶体可根据晶体中组成之间化学键分类：离子晶体共价晶体金属晶体弱键晶体在很多实际晶体中往往多种化学键共存晶体微观结构周期性导

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级金属晶体及晶体结构的能带理论单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二层第三层第四层第五层单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级：赵广柱

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级固体物理学第一章 晶体结构 第二章 晶体中原子的结合 第三章 晶格振动与晶体的热学性质学习内容:第四章 能带理论第二章 晶体中原子的结合第一节 结合力与结合能的一般性质 第二节 结合力的类型与晶体分类

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级固体物理学第一章 晶体结构 第二章 晶体中原子的结合 第三章 晶格振动与晶体的热学性质 第四章 能带理论 学习内容:第 四 章 能 带 理 论学习内容：第一节 金属的经典电子气理论 第二节 索末菲自由电子论 第三节 布洛赫定理 第四节 近自由电子近似引 子第三节 布洛赫

单击此处编辑母版标题样式§19-2 固体的能带结构 固体分为晶体和非晶体两大类本节主要介绍晶体的能带结构 晶体 宏观上具有对称的几何外形微观上原子或离子呈现在空间有规则的周期性的排列晶体的性质与这种内在的周期性有关1.电子共有化 晶体中大量原子 有规则排列晶体中形成了如图所示的周期性势场电子在这种周期性的势场中运动 对于高能级的电子其能量超过势垒高度电

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级固体物理学第一章 晶体结构 第二章 晶体中原子的结合 第三章 晶格振动与晶体的热学性质 第四章 能带理论 学习内容:第四节 固体的能带一 电子共有化 对于只有一个价电子的简单情况：电子在离子实电场中运动单个原子的势能曲线表示为：当两个原子靠得很近时每个价电子将同时受到两个离子实电场的作用这时的势能曲线表示为：

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级2.1 半导体材料2.2 基本晶体结构2.3 基本晶体生长技术2.4 共价键2.5 能带2.6 本征载流子浓度2.7 施主与受主第2章 热平衡时的能带和载流子浓度1§2.1 半导体材料固体材料：绝缘体半导体和导体半导体易受温度光照磁场及微量杂质原子影响元素半导体：硅锗化合物半导体：二元三元四元化合物 GaAs

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级要 求：(1)掌握缺陷的形成类型缺陷反应式固溶体的分类性质及影响因素等 (2)理解硅酸盐材料与缺陷的关系重点及难点：缺陷反应式的写法分析 各种缺陷浓度的计算能带理论：非金属固体在0K时导带空价带满不导电当有热能或其他能量时电子被激发跃迁至导带中