半导体三极管β值测量仪设计报告 摘要:设计制作一个自动测量NPN型硅三极管β值的显示测试仪一·设计内容及基本要求:1对被测NPN型三极管β值分三档2β值的范围分别为80120及120160160200对应的分档编号分别是13待测三极管为空时显示0超过200显示44用数码管显示β值的档次 发挥部分:1用三个数码管显示β的大小分别显示个位十位和百位显示范围为0-1992响应时
#
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级电子技术课程设计目的 运用已基本掌握的具有不同功能的单元电路的设计安装和调试方法在单元电路设计的基础上设计出具有各种不同用途和一定工程意义的电子装置深化所学理论知识培养综合运用能力增强独立分析与解决问题的能力训练培养严肃认真的工作作风和科学态度为以后从事电子电路设计和研制电子产品打下初步基础 要求 根据
大 学《半导体三极管β值及范围测量仪》课题报告课 题 名 称________________________________教 学 院________________________________专 业 年 级 ________________________________姓 名 ________________________________学
目录 TOC o 1-3 h z u l _Toc253140989 目录 PAGEREF _Toc253140989 h 2 l _Toc253140990 第一部分 系统设计 PAGEREF _Toc253140990 h 3 l _Toc253140991 设计题目及要求 PAGEREF _Toc253140991 h 3 l _Toc253140992
××××大学课 程 设 计课 程 电子技术课程设计 题 目 三极管β值数显式测量电路设计院 系 电气信息工程学院 专业班级 学生 学生
辽 宁 工 业 大 学电子技术基础课程设计(论文)题目: 三极管值自动测量分选仪 院(系): _电气工程学院___专业班级: 电气101 学 号: 100303023 学生: 张京亮 指导教师: 王景利 __教师职称: 副教授 __起止时间:—课程设计(论文)任务及评语院(系):
半导体三极管结构简介 t _blank 三极管的基本结构是两个反向连结的PN接面如图1所示可有pnp和npn 两种组合三个接出来的端点依序称为 t _blank 发射极(emitterE) t _blank 基极(baseB)和 t _blank 集电极(collectorC)名称来源和它们在三极管操作时的功能有关图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号发射极特
按功率分: 小功率管 < 500 mW三极管的特性曲线N 型锗集电结晶体三极管工作原理发射结2. PNP 型三极管二电流放大原理uoCIIBN = IB ICBO 3) 集电区收集扩散过 来的载流子形成集 电极电流 IC三极管放大的条件:输入回路取 VICEO条件: 发射结正偏 集电结反偏特点:
晶体管的结构和类型5. 晶体管的电流分配关系和放大作用5. 晶体管的特性曲线 晶体管的主要参数 温度对晶体管参数的影响NNb基极bN当前国内生产的硅晶体管多为NPN型(3D系列)锗晶体管多为PNP型(3A系列)NcbiCiERb为什么能实现放大呢 iCiBiCc共射输入特性输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线类似uBE●电流分配关系和放大作用℃大2 截止区iB = 0放20℃ 放大区
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报