相关文档

• 等离子体增强化学气相沉积原理1.pdf

  CVD镀膜机自动化控制

• 等离子体增强化学气相沉积法.doc

  #

• 等离子体化学气相沉积.pdf

  #

• 微波等离子体化学气相沉积装置的工作原理.pdf

  　　　　　　　　　　　　　　　　　47

• 等离子体化学气相沉积（PECVD）工艺.doc

  等离子体化学气相沉积（PECVD）NH3SiH4真空400℃高频光放电Si3N4·H刻蚀后硅片H2过量的SiH4Si3N4沉积在硅片表面形成一层薄膜硅片HWR-4型不锈钢硅烷燃烧塔丝网印刷化学反应式： SiH4 NH3→Si3N4H2↑NH3的存在有利于活性的流动和扩散提高了薄膜的生长速度淀积速率可达30nmmin并大大降低了淀积温度 :

• 微波等离子体化学气相沉积金刚石膜.pdf

  微波

• 091190079苏尧等离子体增强化学气相沉积制备薄膜实验二.doc

  12 实验二 等离子体增强化学气相沉积制备薄膜实验目标了解等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备薄膜的基本原理。了解等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备薄膜的实验流程。实验原理化学气相沉积(CVD)是一种具有广泛应用范围，例如，热CVD是IC制造中大多数外延生长的基础。化学气相沉积的优点是：所得的薄膜纯度高，致密，易形成结晶定向好的薄膜，在电子工业中广泛用于高纯材料和单晶材料的制备；能

• 111190098王娇娇-实验二-等离子体增强化学气相沉积制备薄膜.doc

  13 实验二 等离子体增强化学气相沉积制备薄膜院系 现代工程与应用科学学院 材料物理系实验时间 2014年4月14日实验小组 B9组王娇娇 王楚滢 秦奋报告人 王娇娇 111190098实验目标了解等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备薄膜的基本原理。了解等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备薄膜的实验流程。实验原理化学气相沉积(CVD)是一种具有广泛应用范围，例如，热CVD是IC

• 27组101190071卿云_实验2_等离子体增强化学气相沉积制备薄膜.docx

  12 实验二 等离子体增强化学气相沉积制备薄膜27组101190071 卿云实验目标了解等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备薄膜的基本原理。了解等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备薄膜的实验流程。实验原理化学气相沉积(CVD)是一种具有广泛应用范围，例如，热CVD是IC制造中大多数外延生长的基础。化学气相沉积的优点是：所得的薄膜纯度高，致密，易形成结晶定向好的薄膜，在电子工业中广泛用

• 化学气相沉积（CVD）.pdf

  #