#
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级3 半导体二极管及其基本电路3.1 半导体的基本知识3.3 半导体二极管3.4 二极管基本电路及其分析方法3.5 特殊二极管3.2 PN结的形成及特性13.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体半导体:导电特性介于导体和绝缘体之间
纯净且晶格完整的半导体称为本征半导体 自由电子 PN结的形成及特性PN结的形成 PN结加正向电压时呈现低电阻具有较大的正向扩散电流PN结加反向电压时呈现高电阻具有很小的反向漂移电流由此可以得出结论:PN结具有单向导电性 二极管的伏安特性 理想二极管模型 恒压降模型 折线模型 交流小信号等效模型 利用二极管的单向导电性将交流电转换为直流电的电路称为整流电路在整流电路中由于电源电压远大于二极管的正
#
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版
Click 要知道:N型和P型半导体的区别PN结的导电特性硅和锗二极管阈值电压和正向导通电压值温度对二极管特性和参数的影响常用特种二极管以及倍压整流使用要点会计算:用等效电路法计算二极管电路参数单相桥式整流电路单相桥式整流电容滤波电路的输出电压输出电流会画出:单相桥式整流电容滤波电路二极管限幅电路的输出波形会确定:选用二极管滤波电容变压器所依据的主要参数会分析:单相桥式整流电容滤波电路中故障原因会
简化模型 4自由电子42本征半导体的导电机理E N 型半导体中的载流子包括(1)由施主原子提供的电子浓度与施主原子相同 (2)本征半导体中成对产生的电子和空穴 nN>>nP 自由电子称为多数载流子(多子) 空穴称为少数载流子(少子) N型半导体的模型4(4)P型半导体的模型 四漂移电流与扩散电流 载流子浓度差如果没有外加电压——自由状态下的PN结N 型半导体多子的扩散加强能够形成较大
理想运放工作特点(2)工作在非线性(饱和区)工作区的特点当理想运放组成的基本运算电路】32720235.减法运算【uP<uN uo =- UOM -UOM【安徽科技学院安徽科技学院3272023安徽科技学院3272023总结安徽科技学院采用不同的掺杂工艺将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上在它们的交界面就形成PN结PN结具有单向导电性23当扩散电流等于漂移电流时达到动态平衡形成PN结安徽科技
电子信息工程系李月乔 下载PDF文件(第12章)10号左右正式出版 书名:《电子技术基础》中国电力出版社 主编:李月乔 可去教材科或书店购买配套习题答案和学习指导 近期 学习委员统计人数第一节 半导体的基本知识共价键内的电子称为束缚电子三空穴(1)热敏特性(2)光敏特性(3)搀杂特性443 N型半导体P型半导体P区N区扩散运动=漂移运动时达到动态平衡P区空穴(多子)
二极管的应用和二极管电路的分析方法 本征半导体及其导电性 自由电子产生的同时在其原来的共价键中就出现了一个空位称为空穴原子的电中性被破坏呈现出正电性其正电量与电子的负电量相等(1) N型半导体(2) P型半导体 空穴很容易俘获电子使杂质原子成为负离子三价杂质 因而也称为受主杂质P型半导体的结构示意图如图所示
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报