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    单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级P沟道耗尽型P沟道P沟道N沟道增强型N沟道N沟道(耗尽型)FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)耗尽型:场效应管没有加偏置电压时就有导电沟道存在增强型:场效应管没有加偏置电压时没有导电沟道场效应管的分类:5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管5.1.1 N沟道增强型MOSFET5.1.5 M

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    ?一场效应管的分类   按沟道半导体材料的不同结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种若按导电方式来划分场效应管又可分成耗尽型与增强型结型场效应管均为耗尽型绝缘栅型场效应管既有耗尽型的也有增强型的   场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型P沟耗尽型和增强型四大类见下图  HYPERLINK ?二场效应三极管的型号命名方法   第二

  • 5.-12课时.doc

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    单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1.4.1 结型场效应管1.4.3 场效应管的主要参数1.4.4 场效应管与晶体管的比较 1.4.2 绝缘栅型场效应管1.4 场效应管 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件从参与导电的载流子来划分它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟

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    单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 双极型晶体管BJT:输入电阻rbe小电流控制器件 NPNPNP场效应管输入电阻高内部噪声小耗电省热稳定性好抗辐射能力强制造工艺简单易于实现集成化工作频率高电压控制器件第四章 场效应管及MOS模拟集成电路基础4-1 结型场效应管(JFET)4-2 金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)4-3 场效应管放大电路

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    P沟道符号: 定义: 开启电压( UT)——刚刚产生沟道所需的栅源电压UGS gm=?iD?uGS? uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用 在转移特性曲线上 gm为的曲线的斜率 在输出特性曲线上也可求出gm 3P沟道耗尽型MOSFET两个PN结夹着一个N型沟道三个电极:

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    P 沟道N栅极 G 漏源之间相当于两个背靠背的 PN 结无论漏源之间加何种极性电压总是不导电会在耗尽层和 SiO2 之间形成可移动的表面电荷层 ——-N 型沟道P 型衬底NNNBG在UDS > UGS – UT时对应于不同的uGS就有一个确定的iD 此时 可以把iD近似看成是uGS控制的电流源uGS VS图 V20P沟道符 号DOOUP符 号GOIDIDo一直流参数1. 低频跨导

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