1-1答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构使得硅片中通过电流的有效面积增大显著提高了二极管的通流能力2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区也称漂移区低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体由于掺杂浓度低低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿1-6 答:GTO和普通晶闸管同为 PNPN 结构由 P1N1P2 和 N1P2N2 构成两个晶体管V1V2 分别具有共基
填空题:1.电力电子器件一般工作在 开关 状态2.在通常情况下电力电子器件功率损耗主要为 通态损耗 而当器件开关频率较高时功率损耗主要为 开关损耗 3.电力电子器件组成的系统一般由 控制电路 驱动电路 主电路 三部分组成由于电路中存在电压和电流的过冲往往需添加 检测与保护电路 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况电力电子器件可分为 单极性 双极性 复合型 三类5.电力二极管的工作特
1.1什么是电力电子技术它有几个组成部分答:电力电子技术是与电能处理相关的技术学科即将电子技术与控制技术应用到电力领域通过电力电子器件组成各种电力变换电路实现电能的转换与控制成为电力电子技术或电力电子学电力电子技术包括电力电子器件电力电子电路(变流电路)和控制技术三个主要组成部分1.2从发展过程看电力电子器件可分为哪几个阶段简述各阶段的主要标志答:第一代电力电子器件:以硅整流管和晶闸管(SCR)为
一名词解释(每小题2分共10分)1.自然换相点.换相重叠角γ4.同步5.脉宽调制法二填空题(每空1分共20分)1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率dudt和通态电流临界上升率等若dudt过大就会使晶闸管出现________若didt过大会导致晶闸管________2.单相全控桥可控整流电路中功率因数cos 比单相半波可控整流电路的功率因数提高了________倍各管上承受的最大反向电压为___
电力电子变流技术练习题B一 选择题1.当晶闸管承受反向阳极电压时不论门极加何种极性触发电压管子都将工作在(B.关断状态 )A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不定2.带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于(A 大电流 )负载A 大电流 B 高电压 C 电动机 D 发电机3.为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作应在电路中接入(B 续流二极
电力电子变流技术练习题A一 选择题1.单相全控桥电阻性负载电路中晶闸管可能承受的最大正向电压为(C. U2 )A. U2 C. U2 D. U22.单相全控桥式整流大电感负载电路中控制角α的移相范围是(°90° )°90° °180° °180° °360°3.单相全控桥大电感负载电路中晶闸管可能承受的最大正向电压为(
电力电子变流技术练习题C一.填空题(1)在十二相整流电路中为了方便两组整流桥的输出电压相等要求两组交流电源的线电压相等因此三角形链接的变压器二次绕组线电压应等于星形连接的绕组相电压的 倍(2)在整流电路的谐波分析中相数m的增加使得谐波中最低次谐波的频率增大 同时其幅值迅速 减小 (3)在三相桥式全控电路中当为电阻性负载时其最大移相范围是 120o 电感性负载时最大移相
复习题一单项选择题1.三相半波可控整流电路的自然换相点是( B )A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30o D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60o2.单相全波可控整流电路带电阻负载控制角α的最大移相范围为(B ) -90o B. 0o -180o C. 0o -90o D. 0o -150o3.电流型逆变器中间直流环节贮
电力电子技术习题解孙 建 明电气与信息工程学院 :
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