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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 第二章 半导体器件基础 计 算 机 电 路 基 础怀化学院物理与信息工程系主讲:向 腊第2章 半导体器件基础学习要点:PN结的形成和单向导电性 二极管的伏安特性半导体三极管的基本结构工作原理三极管的伏安特性MOS场效应管的结构工作原理和伏安特性曲线结型场效应管的结构工作原理和伏安特性曲线第2章
Click to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth level第二章 半导体器件基础计算机电路基础第二章半导体器件基础学习要点PN结的形成和单向导电性 二极管的伏安特性半导体三极管的基本结构工作原理三极管的伏安特性MOS场效应管的结构工作原理和伏安特性曲线结型场效应管的结构工作原理和伏安特性曲线2.3
半导体基础知识硅锗等半导体材料之所以得到广泛的应用主要是因为它们的导电能力具有一些特殊的方面 现代电子学中用的最多的半导体是硅和锗它们的最外层电子(价电子)都是四个共有价电子所形成的束缚作用.3 N 型半导体P 型半导体中空穴是多子电子是少子 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流但由于数量的关系起导电作用的主要是多子近似认为多子与杂质浓度相等二极管的主要参数
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第1章 半导体器件基础 (3) 饱和区 曲线靠近纵轴附近 各条输出特性曲线的上升部分属于饱和区 在这个区域 不同IB值的各条特性曲线几乎重叠在一起 即当UCE较小时 管子的集电极电流IC基本上不随基极电流IB而变化 这种现象称为饱和此时三极管失去了放大作用 ICβIB或ΔICβΔIB关系不成立
P集电结C集电极E发射极N 型 Si 衬底Fundamental of Semiconductor DevicesChapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction TransistorsP 隔离区Fundamenta
模电拟技子术广西机电职业技术学院电气系单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级模电拟技子术项目一 半导体器件基础绪 论 一电子技术的发展与应用概况 电子技术是研究电子器件 电子电路及其应用 的科学技术 电子技术的应用以信息科学技术为中心的包括计算机技术生物基因工程光电子技术军事电子技术生物电子学新型材料新型能源海洋开发工程技术
半导体器件基础
模(二)晶体管时代 2000年以来以集成电路为基础的电子信息产业已成为世界第一大产业电子信息产业的发展在国民经济发展中具有十分重要的战略意义科学家认为人类继石器青铜器铁器时代之后进入了硅石时代 2. 杂质半导体自由运动的带电粒子简化模型1. 本征半导体中电子空穴成对出现且数量少 磷原子4①空穴是多子自由电子是少子 扩散运动-P2. PN结外加反向电压时处于截止状态EO构成:
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