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第 19 卷第 3 期
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异质外延:不同材料之间的外延生长.立方结构若采用异质结 发射区采用能带带隙较宽的材料(带隙增大ΔEg)相对与原来的同质结npn晶体管:定义失配应变:(b) (部分)弛豫通过失配位错消除晶格失配.a=ae 外延层是未应变的.应力:单位面积的应变能:若ε=f则系统是赝晶体位错空间距离为无限大若ε=0则系统完全弛豫位错的空间距离S=bf若系统是部分弛豫的则位于两者之间赝晶体的外延薄膜的临界厚度(Matt
摘要:MOCVD外延技术是国内目前刚起步的技术本文主要介绍外延的基本原理以及目前世界上主要外延生产系统的设计原理及基本构造??? 外延生长的基本原理是在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和SiC两种)上气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面生长出特定单晶薄膜目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法 MOCVD ??? 金属有机物化学气相淀积(Metal-Orga
单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式 标准GaN外延生长流程㈠ 高温除杂 反应室炉温升高1200℃通入氢气高温燃烧除去衬底上的杂质时间10min 蓝宝石衬底(430±5μm)高温通H2 10min 标准GaN外延生长流程 ㈡ : 长缓冲层 炉温降底控制在530℃时在蓝宝石衬底上生长一
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