主要封装工艺技术:WBTABFCBOLBILBC4UBMSMT等2题型:
微电子工艺基础Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesgood1Second levelgood2Third levelgood3Fourth levelgood4Fifth levelgood5 Harbin Institute of Technology in WeiHai
复习及期末考试安排1今天和下周(第14周)共3×2个学时:总复习。2考试方式:闭卷考试。3考试时间:第15周星期四(6月14日) 上午830~1030(共120分钟)4考试地点:本大楼 C-116教室 5考试纪律:参照(1)国家教育考试违规处理办法(2004年5月19日 教育部令第18号发布) (2)教育部关于修改《国家教育考试违规处理办法》的决定 (第33号令)第一章 作业讲评什么是电力电子
電子構裝技術(El
第二章 基本放大电路第一节 放大的概念和放大电路的主要性能指标基本概念:放大知识点:1)在电子电路中放大的对象放大的本质2)放大的前提是不失真3)放大电路的指标要求:初步了解电子学中的放大的概念放大电路的指标第二节 集成运放中的电流源电路基本概念:电流源基准电流知识点:镜像电流源比例电流源微电流源威尔逊电流源的输出电流与基准电流的关系要求:了解各种电流源电路的特性及其输出电流的确定方法第四节
2三整流电路10六交流-交流变流电路
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6.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为UE=6VUB=UC=0V则该管为( ) A:PNP型锗管 B:NPN型锗管 C:PNP型硅管 D:NPN型硅管 DBBCAAC RCICRLRSRi1 流过二级管电流:2.逻辑电路如图10所示试写出逻辑式0 逻辑图:十已知逻辑电路图及C脉冲的波形试分析电路的逻辑功能列状态表并画出6个CP脉冲的波形该电路是同步
电子技术复习 第一章半导体二极管和三极管半导体的导电机理、基本概念(如N、P型半导体中的多数载流子、少数载流子等)三极管三个工作区域及其条件二极管及稳压管的应用电路分析注意NPN和PNP型三极管的区别1第二章基 本 放 大 电 路2一、以NPN型晶体管组成的共射极放大电路3电路分析及参数计算1、静态分析,求出 IB, IC,UCE,rbe2、动态分析,求出Au,ri,ro4二、射极输出器5三、多级
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