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第23 卷第10 期
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高k栅介质AlGaNGaN MOS-HEMT器件特性研究【摘要】 高性能AlGaNGaN HEMT器件在高温微波大功率应用上拥有明显的优势然而AlGaNGaN异质结HEMT器件仍然存在着界面缺陷栅泄漏电流较大和电流崩塌效应等问题严重限制了高频大功率及高温可靠性为了解决这一问题人们在采用SiO2Si3N4作为栅绝缘层介质的MOS-HEMT器件取得了很大的进展然而由于器件尺寸不断缩小为保持器件良
第 29 卷 第5 期
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万方数据
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 MOS器件高K栅介质薄膜材料研究高K材料的基本特性与电学特性背景 随着45 am和32 am技术节点的来临传统的sio2作为栅介质薄膜材料的厚度需缩小到1 am之下材料的绝缘性可靠性等受到了极大的挑战已不能满足技术发展的要求高k材料成为代替Sio2作为栅介质薄层材料的不错选择但是大多数高k材料是离子金属氧化物其
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级从65nm到45nm到32nm高K-金属栅极技术 旧金山秋季IDF 2010第一天Intel不负重望地全面展示了下一代处理器家族Sandy Bridge并首次公布了大量深入的技术细节和精美的晶圆照片在会上Intel副总裁兼架构事业部总经理浦大卫先生为大家详细介绍了Sandy Bridge Intel宣称Sandy B
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