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  PN结的形成及特性一核外电子的运动特点离核距离 近 远5弧线上数字表示该电子层上的电子数2密切相关HeNeAr等FClS等22120232212023由于随机热振动致使共价键被打破而产生空穴－电子对空穴的移动4 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质可使半导体的导电性发生显著变化掺入的杂质主要是三价或五价元素掺入

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  § 半导体的基本知识 ρ(Ω-cm )半导体的导电特性： 最外层上的电子决定了物质的化学特性和导电性 .2 半导体的共价键结构 Si价电子本征半导体的导电机理 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质可使半导体的导电性发生显著变化 在N型半导体中自由电子是多数载流子它主要由杂质原子提供空穴是少数载流子 由热激发形成 .4 杂质半导体Si－－－P型半导体－－扩散运动－

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  3 二极管及其基本电路31半导体的基本知识33半导体二极管34二极管基本电路及其分析方法35特殊二极管32PN结的形成及特性31半导体的基本知识 311 半导体材料 312 半导体的共价键结构 313 本征半导体 314 杂质半导体 311 半导体材料根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 312 半导体的共价键结构硅和锗的

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  简化模型 4自由电子42本征半导体的导电机理E N 型半导体中的载流子包括（1）由施主原子提供的电子浓度与施主原子相同 （2）本征半导体中成对产生的电子和空穴 nN>>nP 自由电子称为多数载流子（多子） 空穴称为少数载流子（少子） N型半导体的模型4（4）P型半导体的模型 四漂移电流与扩散电流 载流子浓度差如果没有外加电压——自由状态下的PN结N 型半导体多子的扩散加强能够形成较大

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  本征半导体及其导电性这种结构的立体和平面示意图见图2-1 这一现象称为本征激发也称热激发 自由电子的定向运动形成了电子电流空穴的定向运动也可形成空穴电流它们的方向相反只不过空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的见图2-3的动画演示(1) N型半导体(2) P型半导体 图2- 5 P型半导体的结构示意图－－ PN结的电容效应 空间电荷区形成内电场 －－

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  PN结的形成及特性 半导体材料本征半导体——化学成分纯净的半导体它在物理结构上呈单晶体形态 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体 2. P型半导体 T=300 K室温下本征硅的电子和空穴浓度: n = p =×1010cm3 本征半导体杂质半导体 .2 PN结的形成空间电荷区

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  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1 绪论2 运算放大器3 二极管及其基本电路4 双极结型三极管及放大电路基础5 场效应管放大电路6 模拟集成电路7 反馈放大电路8 功率放大电路9 信号处理与信号产生电路10 直流稳压电源第3章 二极管及其基本电路§ 3.1 半导体的基本

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  本征半导体掺杂半导体　PN 结的单向导电性　二极管的结构及类型　二极管的应用（整流检波和限幅等）24444444电子和空穴产生过程动画演示444U4444这就是半导体和金属导电原理的本质区别2．杂质半导体 4444----c. 空穴是多数载流子电子是少数载流子4P4出现了一个正离子d. pi× ni=K(T) PN结的形成及特性-------N--------------PN结一方面阻碍多子的

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