平衡状态:PN 结内部的温度均匀稳定不存在外加电压光照磁场辐射等外作用 NA-pp0空间电荷区nn0于是可得: 以上求得的 E(x) 就是 PN 结的 内建电场对内建电场作积分可得 内建电势 Vbi (也称为 扩散电势 它是在耗尽区从与P区中性区的交界面到与N区中性区的交界面之间的电位差)内建电势来源于内部栽流子的扩散 它不是由外加电压引起的 由于
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级§1.3 双极型晶体管双极型晶体管的几种常见外形(a)小功率管 (b)小功率管 (c)中功率管 (d)大功率管 双极型晶体管又称三极管电路表示符号:BJT根据功率的不同具有不同的外形结构1一. 基本结构BNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型 由两个掺杂浓度不同且背靠背排列
上页下页返回模拟电子技术基础2.1 晶体管晶体管又称半导体三极管晶体管是最重要的一种半导体器件之一它的放大作用和开关作用促使了电子技术的飞跃2 晶体管及放大电路基础晶体管图片2.1.1 晶体管的结构1. NPN型晶体管结构示意图和符号(2) 根据使用的半导体材料分为: 硅管和锗管 (1) 根据结构分为: NPN型和PNP型晶体管的主要类型NNP发射区集电区基区发射极E(e)集电
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级双极型晶体管设计1双极型晶体管工艺简介但双极型工艺凭借其高速高跨导低噪声以及较高的电流驱动能力等方面的优势发展依然很快目前主要的应用领域是模拟和超高速集成电路2标准埋层NPN双极型晶体管工艺实例1生长埋层2外延生长3生长隔离区4生长基区基区的掺杂和分布直接影响器件的直流增益截止频率等特性5发射区及集电极接触区6形成金属互连3衬
第 2 章 常用电力电子器件介绍及选择晶闸管的结构原理及测试五.晶闸管的测试 用万用表欧姆档判断晶闸管好坏的方法是: 将万用表置于R×1KΩ测量阳极-阴极之间的正反向电阻正常时都为几百千欧以上 将万用表置于R×10Ω测量门极-阴极之间的正反向电阻正反向时都为数百欧注意:测量门极-阴极之间的电阻值时禁止使用 R×10KΩ以免表内高电压击穿门极的PN结
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 当 PN 结的外加电压为 时 2.6.1 交流小信号下的扩散电流 则 PN 结的扩散电流也具有如下形式 2.6 PN 结的交流小信号特性与扩散电容 ω 为角频率式中V0 为直流电压V0 >> kTq
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级结束单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级2 分子晶体和原子晶体:.viviasoftpolyhedraconvexplatonicgb_11_3.3.3.3.3.xml 交流·讨论雪花冰糖食盐水晶和电木(酚醛树脂)这些固体是否属于晶体若不是晶体请说明理由为什么不同的晶体
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