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• 第5章（09）场效应管放大器.ppt

  P沟道JFET两边是P区G 若加入UGS <0PN结反偏耗尽层变厚漏源电压VDS对iD的影响 随VDS增大这种不均匀性越明显（2）恒流区：(又称饱和区或放大区）条件：整个沟道都夹断 P沟道耗尽型金属电极 绝缘层目前常用二氧化硅故又称金属-氧化物-半导体场效应管简称MOS场效应管2 .漏源电压VDS对沟道导电能力的影响MOSFET的特性曲线P沟道增强型 2. 夹断电压VP

• 场效应管放大器.ppt

  P沟道符号： 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的栅源电压UGS gm=?iD?uGS? uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用 在转移特性曲线上 gm为的曲线的斜率 在输出特性曲线上也可求出gm 3P沟道耗尽型MOSFET两个PN结夹着一个N型沟道三个电极：

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  P沟道符号： 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的栅源电压UGS gm=?iD?uGS? uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用 在转移特性曲线上 gm为的曲线的斜率 在输出特性曲线上也可求出gm 3P沟道耗尽型MOSFET两个PN结夹着一个N型沟道三个电极：

• 3-场效应管放大器.ppt

  单击此处编辑母版标题样式(1-) ３场效应管(FET)放大器5.3 场效应管的参数及特点5.1　结型场效应管(JFET)5.2　绝缘栅场效应管(MOSFET)5.4 场效应管放大器11FET与BJT的区别结型场效应管(JFET)金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)2场效应管的分类：电压控制元件输入电阻高温度稳定性好慨述BJTFET双极性载流子参与导电电流控制元件输入电阻低温度稳定

• 《电工学》第四章4.9场效应管放大器.ppt

  特点:与三极管放大器一样场效应管放大电路的动态分析也采用微变等效电路输出电阻的计算：

• 第5章场效应管放大电路.ppt

  MOSFET放大电路 N沟道增强型MOSFET1. 结构（N沟道） 产生电场但未形成导电沟道（感生沟道）ds间加电压后没有电流产生?电场强度减小vDS??夹断区延长 给定一个vGS 就有一条不同的 iD – vDS 曲线② 可变电阻区 vDS≤（vGS－VT）其中NMOS增强型 MOSFET的主要参数三极限参数 2. 图解分析1. 直流偏置及静态工作点的计算（2）

• 第4章-场效应管放大电路.ppt

  § 场效应管放大电路 结型场效应管——结构DNGUDSUDS=0V时DPIDNUDSID转移特性曲线一定UDS下的ID-UGS曲线可变电阻区ID-4VJFET转移特性方程（N沟道）6.最大耗散功率PDM绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题D绝缘栅场效应管——结构与符号予埋了导电沟道 SPUGS=0时G当UDS不太大时导电沟道在两个N区间是均匀的UDSUGS耗尽型N沟道MOS管的特性曲线UGS<0P

• 第五章_场效应管放大电路.ppt

  5 场效应管放大电路51金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管53结型场效应管（JFET）*54砷化镓金属-半导体场效应管55各种放大器件电路性能比较52MOSFET放大电路P沟道耗尽型P沟道P沟道（耗尽型）场效应管的分类：51金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管511N沟道增强型MOSFET515MOSFET的主要参数512N沟道耗尽型MOSFET513P沟道MOSFET514沟道长度调制效应