单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级3 半导体电路分析基础§3.1 放大电路及其性能表征放大的概念放大的实质输出信号大于输入信号即为放大放大电路输出信号的能量来源于有源器件上的直流偏置电源所以放大器实质上是一种能量控制器或能量转换器放大电路的性能表征放大倍数电压放大倍数电压增益电流放大倍数互导放大倍数互阻放大倍数--放大电路放大电路的性能表征输入电阻所以对信
第二级第三级第四级第五级第1章 绪论模拟电子电路及技术基础西安电子科技大学出版社(第二版)孙肖子 主编孙肖子 张启民 赵建勋 朱天桥 顾伟舟 编著《模拟电子电路与技术基础》课程的特点是 概念性工程性实践性强 注重物理概念采用工程观点 重视实验技术善于总结对比 理论联系实际注意应用背景 寻求内在规律增强抽象能力信号是信息的载体信息是信号的内容电信号:随时间变化的电流或电压
孙肖子 主编电信号:随时间变化的电流或电压 (电容电荷量线圈磁通量空间电磁场)模拟信号: 时间和数值(幅度)都连续滤波器: 电压放大倍数电流增益互导增益Ri 表征该放大器从信号源有效吸取信号幅值的大小Ro表征放大器带负载能力 (a) 线性传输特性与不失真输出波形 反馈的基本概念和基本框图 负反馈与正反馈串联负反馈下深度负反馈条件
导体半导体和绝缘体 本征半导体6形成共价键后每个原子的最外层电子是八个构成稳定结构1.载流子自由电子和空穴2.本征半导体的导电机理本征半导体中电流由两部分组成: 1. 自由电子移动产生的电流 2. 空穴移动产生的电流415P 型半导体中空穴是多子电子是少子--在同一片半导体基片上分别制造P 型半导体和N 型半导体经过载流子的扩散在它们的交界面处就形成了PN 结--2
第6章 半导体器件 常用的半导体器件有二极管三极管和场效应管本章重点介绍常用半导体器件的结构伏安特性和主要参数 半导体器件是构成电子电路的最基本单元掌握半导体器件的特征是分析电子电路的基础 半导体二极管 检波电路是把信号从已调波中检出来的电路?(2)输出特性①放大区条件:发射结正偏集电结反偏特点:IC IB IC仅由IB决定②截止区条件:两个PN结均反偏特点是IB
abcd模拟电子技术基础经常出现近似处理情况很不适应华中科技大学电信系 张林教学中应的几个问题iBvCEIBQμvcevbe教学中应的几个问题eIBQVCCiBaRc 借助这一工具可以解决放大电路的分析设计问题 本课程的教学目标并不停留在此实际上掌握所获得的结论更为重要放大电路的输入输出电阻voxi负载iC = ? iE iC = ? i
原子1 x 1010 transistors左起依次为:巴丁(J. Bardeen)肖克莱(Shockley)布兰坦(Brattain)按电路功能分类60-万定义电路的功能指标性能IP核在数字电路中常用一些比较复杂的功能块如FIR滤波器SDRAM控制器PCI接口等设计成可修改参数的模块IP核的重用是设计人员赢得迅速上市时间的主要策略随着CPLDFPGA的规模越来越大设计越来越复杂(IC的复杂度以每
作业: P148 复习思考题 2 112 半导体二极管 PN结的形成及单向导电性 (1)PN结的形成 在本征半导体上通过某种掺杂工艺使其形成P型区和N型区两部分由于P区的多子是空穴N区的多子是自由电子因此在交界处自由电子和空穴都要从高浓度区向低浓度区扩散多数载流子在浓度差作用下的定向运动叫做扩散运动如图5-4a所示多子扩散到对方区域后使对方区域的多子因
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级模拟电子技术基础安徽理工大学电气工程系主讲 :黄友锐第九讲6.1 概述6.2 差分放大电路的静态计算6.3 差分放大电路的动态计算06 差分放大电路6.1 概 述 6.1.1 差分放大电路的组成 6.1.2 差分放大电路的输入和 输出方式 6.1.3 差模信号和共模信号6.1.1 差分放大电路的组成
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级模拟电子技术基础信息科学与工程学院·基础电子教研室适用于任何频率信号的放大倍数表达式为:掌握 【】内容回顾波特图【】内容回顾6.1 反馈的基本概念及判断方法6.2 负反馈放大电路的四种基本组态6.3 负反馈放大电路的方框图及一般表达式6.4 深度负
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