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功率半导体器件 概述.1 功率半导体器件的定义图1-1为电力电子装置的示意图输入电功率经功率变换器变换后输出至负载功率变换器即为通常所说的电力电子电路(也称主电路)它由电力电子器件构成目前除了在大功率高频微波电路中仍使用真空管(电真空器件)外其余的电力电子电路均由功率半导体器件组成图1-1 电力电子装置示意图一个理想的功率半导体器件应该具有好的静态和动态特性在截止状态时能承受高电压且漏电流要
安徽科技学院车辆工程专业由图可见晶体管的外部偏置条件是:电压源UBB通过电阻RB提供给发射结正向偏置而电压源UCC通过电阻RC加到集电极使集电结处于反向偏置 共射电流放大系数NPN型与PNP型晶体管电流电压的参考方向锗管饱和区 2 (2)集电极发射极反向击穿电压BU(BR)CEO第一章 半导体器件第二节 半导体三极管结构示意图UAKIG=IB11. AK极之间加反向电压令uAK ≤0晶闸管则处
模拟电子学基础单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级复旦大学电子工程系 陈光梦第 2 章半导体器件2022451模拟电子学基础这一章我们要讨论什么本章研究半导体器件:半导体材料的特点半导体材料是如何构成的半导体电子元器件的半导体电子元器件有怎样的电路特性2022452模拟电子学基础历史简述19世纪末期无线电通信被发明当时采用金属粉末作为检波器件20世纪上半叶电真空器件成为电子学
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 第2章 半导体器件 2.1 半导体特性和PN结 2.2 半导体二极管 2.3 半导体三极管 2.4 场效应管 本章小结 习题二2.1 半导体特性和PN结2.1.1 半导体特性 1.本征半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体半导体是构成电
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第1章 半导体器件习题1.什么是本征半导体什么是杂质半导体各有什么特点2.N型半导体是在本征半导体中掺入____价元素其多数载流子是____ 少数载流子是____4.在室温附近温度升高杂志半导体中____的浓度将明显增加5. 什么是载流子的扩散运动漂流运动他们的大小主要与什么有关3.P型半导体是在本征半导体中掺入___价元
本征半导体晶体结构示意图如图所示由图可见各原子间整齐而有规则地排列着使每个原子的4个价电子不仅受所属原子核的吸引而且还受相邻4个原子核的吸引每一个价电子都为相邻原子核所共用形成了稳定的共价键结构每个原子核最外层等效有8个价电子由于价电子不易挣脱原子核束缚而成为自由电子因此本征半导体导电能力较差 图结的形成(a)多子扩散示意图(b)PN结的形成
功率半导体器件的驱动与保护? 晶闸管的驱动与保护.1 晶闸管的触发电路晶闸管触发电路的作用是将控制信号Uk转变成延迟角α(或β)信号向晶闸管提供门极电流决定各个晶闸管的导通时刻因此触发电路与主电路一样是晶闸管装置中的重要部分两者之间既相对独立又相互依存正确设计的触发电路可以充分发挥晶闸管装置的潜力保证运行的安全可靠触发电路在晶闸管变流装置中的地位如图2-1所示可把触发电路和主电路看成一个功率
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 第二章 半导体器件基础 计 算 机 电 路 基 础怀化学院物理与信息工程系主讲:向 腊第2章 半导体器件基础学习要点:PN结的形成和单向导电性 二极管的伏安特性半导体三极管的基本结构工作原理三极管的伏安特性MOS场效应管的结构工作原理和伏安特性曲线结型场效应管的结构工作原理和伏安特性曲线第2章
Click to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth level第二章 半导体器件基础计算机电路基础第二章半导体器件基础学习要点PN结的形成和单向导电性 二极管的伏安特性半导体三极管的基本结构工作原理三极管的伏安特性MOS场效应管的结构工作原理和伏安特性曲线结型场效应管的结构工作原理和伏安特性曲线2.3
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