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第19 卷第 9 期
第 19 卷第 3 期
第19 卷第 3 期
第19 卷第 12 期
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异质外延:不同材料之间的外延生长.立方结构若采用异质结 发射区采用能带带隙较宽的材料(带隙增大ΔEg)相对与原来的同质结npn晶体管:定义失配应变:(b) (部分)弛豫通过失配位错消除晶格失配.a=ae 外延层是未应变的.应力:单位面积的应变能:若ε=f则系统是赝晶体位错空间距离为无限大若ε=0则系统完全弛豫位错的空间距离S=bf若系统是部分弛豫的则位于两者之间赝晶体的外延薄膜的临界厚度(Matt
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