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单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级3.2 TTL逻辑门3.2.1 BJT的开关特性3.2.2 基本BJT反相器的动态特性3.2.3 TTL反相器的基本电路3.2.4 TTL逻辑门电路3.2.5 集电极开路门和三态门3.2.6 BiMOS门电路3.2 TTL逻辑门3.2.1 BJT的开关特性iB?0iC?0vOVCE≈VCCce极之间近似
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2.最大项最大项表达式1.与或式的化简 一常见表达式 3二标准表达式 ( 101 )2 32220233222023例:F(ABC) = (A B C ) · ( A B C ) · ( A B C )即:A B CA B CA B CA B C第二章 逻辑代数基础0 例:101 ABC 1432220230 0 01 0
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第2章 常用数字电路基础数字电路概念逻辑电路译码电路时序电路1数字电路输入或输出只有有限个状态一般为高电平与低电平来源于三极管的饱和导通或截止或MOS器件的夹断和导通2逻辑电平0或1真或假正逻辑(1为真,0为假)负逻辑( 0为真,1为假)TTL电平(5V电源)高电平(1电平)输入大于24V,输出大于28V低电平(0电平)输入小于08V,输出小于04V兼容性、噪声容限CMOS电平(于电源电压有关)3
单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级数字电子技术王德新沈阳工业大学软件学院1.3 带符号数的代码表示 Signed Number Representation以上我们讨论的数都没有涉及符号可以认为是正数本节讨论带符号的数在前面加上-号正号可以省略(101)2 (-101)21.3 带符号数的代码表示真值与机器数通常我们都用符号表示正用符号-表示负和-无非是表示
晶片准备 制版 光刻工艺 氧化工艺 淀积 腐蚀 扩散 NMOS晶体管空穴当不考虑沟道长度调制系数λ的影响时: VGSVTP<VGS<VTPRDSM1薄氧层 N阱 NN阱N阱 S扩散电容 式中ΦB为结电势ΦB≈n是常数与PN结附近杂质的分布有关n= 逻辑扇出特性 R
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