相关文档

• 第3章场效应管及其基本电路.ppt

  二结型场效应管的工作原理 场效应管的参数462023作 业场效应管FET(Field Effect Transistor)G一结型场效应管的结构B0400091S 模拟电子线路AP(b)P沟道IC电极G-B S-E D-S 相对应PP↓GSDSGGSDP沟道局部夹断2u恒V50V或uDS<uGS-UGSoffDVVu击.B0400091S 模拟电子线路A0电.5V－U(3) 截止区从

• 第3章-场效应管及其基本放大电路.ppt

  模 拟 电 子 技 术 结型场效应管的工作原理N沟道 结型场效应管 uGS ? 0uDS > 01. 直流参数OPDM = uDS iD受温度限制1. 结构与符号在绝缘层上喷金属铝引出栅极 增强型MOS管(2) 栅源电压对漏极电流的控制作用(uGS > UGS(th))uDS?iD 不变截止区uGS VGUGS(off)OGSSBiD mASiD mAuGS = 0 VIDS

• 第3章--场效应管及其基本.ppt

  3–1结型场效应管 如图3–2所示如果在栅极和源极之间加上负的电压UGS而在漏极和源极之间加上正的电压UDS那么在UDS作用下电子将源源不断地由源极向漏极运动形成漏极电流ID因为栅源电压UGS为负PN结反偏在栅源间仅存在微弱的反向饱和电流所以栅极电流IG≈0源极电流IS=ID这就是结型场效应管输入阻抗很大的原因 二输出特性曲线

• 第3章__场效应管及其放大电路.ppt

  场效应管使用注意事项 上一页 结型场效应管的结构及工作原理(1) 对沟道电阻及 的控制作用下一页上一页下一页夹断电压 也可用 表示即转移特性与横坐标轴交点处的电压 图(a)中结型场效应管的转移特性曲线可近似用以下公式表示： 上一页从导电沟道来分绝缘栅场效应管分为{上一页2 工作原理 上一页上一页再继续增大 夹断点将向源极方向移动如图(c)所示 (c)转移特性曲线如图(b)

• 第8章-场效应管及其放大电路.ppt

  P沟道器件结构示意图:在vGS<VT时N沟道MOS管不能形成导电沟道管子处于截止状态因此漏源电压必须大于零（vDS>0） 当vDS足够大时使vGD=vGS-vDS略小于开启电压VT 预夹后的漏极电流与栅源电压有关反映了MOS管的电压控制电流的特性 预夹断前iD与vDS近似呈线性关系预夹断后iD趋于饱和 MOS管是栅源电压控制漏极电流 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFE

• 第四章场效应管及其放大电路.ppt

  #

• 第3章-二极管及其基本电路.ppt

  简化模型 4自由电子42本征半导体的导电机理E N 型半导体中的载流子包括（1）由施主原子提供的电子浓度与施主原子相同 （2）本征半导体中成对产生的电子和空穴 nN>>nP 自由电子称为多数载流子（多子） 空穴称为少数载流子（少子） N型半导体的模型4（4）P型半导体的模型 四漂移电流与扩散电流 载流子浓度差如果没有外加电压——自由状态下的PN结N 型半导体多子的扩散加强能够形成较大

• 第三章场效应晶体管及其电路分析.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第三章 场效应晶体管及其电路分析1.3.1 场效应管的结构特性与参数场效应管用FET表示(Field Effect Transistor)具有输入电阻高热稳定性好工艺简单易于集成等优点 绝缘栅型IGFET(或MOS) (Insulted Gate Type) 增强型MOS (Enhancement) 耗尽型MOS (Dep

• 第9讲-场效应管及其放大电路.ppt

  一场效应管漏极沟道消失称为夹断uGD<UGS（off）可变电阻区低频跨导：大到一定值才开启加正离子二场效应管静态工作点的设置方法 1. 基本共源放大电路近似分析时可认为其为无穷大复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子

• 第9讲_场效应管及其放大电路.ppt

  #