单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第9讲1存储容量的扩展 存储器容量与实际存储器的要求多有不符存储器芯片有不同的组织形式如1024×11024×44096×8等 实际使用时需进行字和位扩展(多个芯片连接)组成你所需要的实际的存储器如 1K×84K×8 等的存储器位扩展的连接方式是将各存储芯片的地址线片选线和读写线相应地并联起来而将各芯片的数据线单
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第8章 89C51单片机扩展存储器的设计8.1 系统扩展结构 AT89C51系统并行扩展结构如图8-1所示 图8-164K×8bit=64KB161616888321<按数据存储器空间扩展>A0A15D0D7WRRDPSENP.11964K×8bit=64KB1682WRRD1682WRRDPSEN是片外程序存储器读选通
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41220233 数据存储器执行机构41220234122023 ROM取指令时序字节存储容量:14根存A8D55V004122023CE = (A15)0000H7FFFH例:MCS-51与多个 ROM的连接MCS–存A8D55V4122023选片存A8D5PSEN0000H1FFFH2000H3FFFH4000H5FFFH6000H7FFFHS3S6数据S2S5A15地址A000HBFF
存储器的扩展存储器是单片机系统中使用最多的外扩芯片对MCS-51单片机而言由于程序存储器与数据存储器空间在物理空间的上的各自独立性使得两者的扩展方法略有不同单片机一直处于不断的取指令码-执行-取指令码-执行的工作过程中在取指令码时和执行MOVC指令时PSEN会变为有效和其它信号配合完成从程序存储器读取数据在本节中介绍目前常用的EPROMRAME2PROM以及Flash存储器的扩展方法.1 程序存储
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Beijing Institute of Petro-chemical Technology单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级外部总线扩展存储器概述第章扩展存储器设计 本章内容Single Chip Microco
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大连东软信息学院学生实验报告课程名称:_ _________________专业班级__________________姓 名: _______________学 号:_________________2011-- 2012 学年第 2学期实验报告注意事项1. 课前必须认真预习实验认真书写预习报告了解实验步骤未预习或预习达不到要求的学生不准参加实验 2. 实验完毕必须将结果交实
第十章 存储器扩展技术10-1 概述10-2 存储器扩展技术一、存储器的分类二、存储器的主要性能指标三、存储器芯片介绍10-1 概述一、存储器的分类(1)数据总线缓冲器(D0-D7):实现8255同CPU之间数据交换,CPU通过执行IN,OUT指令实现发送接收数据,CPU向8255发出的控制字,状态字都由它传送。(2)读写控制逻辑:接收CPU的A0,A1,RD,WR,CS,将这些信号组合后得到对A
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