第一章 集成电路制造工艺流程4代工单位根据设计单位提供的GDS-Ⅱ格式的版图数据首先制作掩模(Mask)将版图数据定义的图形固化到铬板等材料的一套掩模上一张掩模一方面对应于版图设计中的一层的图形另一方面对应于芯片制作中的一道或多道工艺在一张张掩模的参与下工艺工程师完成芯片的流水式加工将版图数据定义的图形最终有序的固化到芯片上这一过程通常简称为流片9多项目晶圆MPW(multi-project w
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级微电子中心HMEC集成电路设计原理 集成电路设计原理1微电子器件原理半导体物理与器件微电子工艺基础集成电路微波器件MEMS传感器光电器件课程地位和知识应用领域固体物理半导体物理2 集成电路就是把许多分立组件制作在同一个半导体芯片上所形成的电路早在1952年英国的杜默 (Geoffrey W. A. Dummer
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级集成电路制造工艺集成电路的发展历史集成电路 Integrated Circuit缩写IC通过一系列特定的加工工艺将晶体管二极管等有源器件和电阻电容等无源器件按照一定的电路互连集成在一块半导体单晶片(如硅或砷化镓)上封装在一个外壳内执行特定电路或系统功能集成电路芯片显微照片各种封装好的集成电路1.1900年普朗克发表了著名的《
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级①恒定表面源扩散:扩散过程中表面的杂质浓度Cs始终保持恒定杂质分布形式:余误差分布随着扩散时间增大进入体内的杂质数量增加结深增大pn结处的杂质浓度梯度变缓上节课内容小结 菲克第二定律: 扩散方程②有限表面源扩散:扩散之前在硅片表面先沉积一层杂质这层杂质
单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级天津工业大学单击此处编辑母版标题样式Chap.10 工艺集成集成电路中的隔离1CMOS集成电路的工艺集成234双极集成电路的工艺集成BiCMOS集成电路的工艺集成天津工业大学工艺集成: ——运用各类工艺形成电路结构的制造过程CMOS集成电路的工艺集成双极型集成电路的工艺集成BiCMOS集成电路的工艺集成天津工业大学§10.1 集成电路中的隔离
单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级天津工业大学单击此处编辑母版标题样panyLOGO单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式天津工业大学Chap.10 工艺集成集成电路中的隔离1CMOS集成电路的工艺集成234双极集成电路的工艺集成BiCMOS集成电路的工艺集成天津工业大学工艺集成: ——运用各类工艺形成电路结构的制造过程CMOS集成电路
课程名称 : 电路基础实验集成电路制造技术微芯片涉及的5个大的制造阶段 1、硅片制备 2、工艺制造 3、硅片测试/拣选 4、装配与封装 5、终测1、硅片制备单晶生长圆片制备单晶生长观看 单晶生长 圆片制备 观看 圆片制备硅片制备2、工艺制造氧化扩散离子注入光刻等离子刻蚀物理气相淀积氧化扩散观看 氧化扩散离子注入观看 离子注入 光刻观看 光刻等离子刻蚀观看 等离子刻蚀
超大规模集成电路课程论文 题目:集成电路设计生产及工艺流程 院 系: 物理与电子工程学院 专 业: 电子信息科学与技术 年 级: 三年级 学 号: 2009111127 姓 名: 汪星
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级新技术应用推广中心单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级新技术应用推广中心PCB 加工流程示意图新技术应用推广中心20.覆铜基板(Copper Coated Laminate)4836inch...新技术应用推广中心31.切板4836inch切成2418inch...新技术应用推广中心42.内
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报