单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式霍尔效应及霍尔元件基本参数的测量 【实验目的】1.了解霍耳效应实验原理以及有关霍耳器件对材料要求的知识2.学习用对称测量法消除副效应的影响3.测绘试样的VH-IS图线和 VH-IM 图线计算器件的霍尔系数RH和灵敏度KH4.根据RH判断试样的导电类型载流子浓度以及迁移率【实验原理】1 .霍尔效应 霍尔效应从本质上讲
山东理工大学物理实验报告预习分分报告分总成绩实验名称:霍尔组件基本参数测量:李 昊 :0612109876 时间代码:06378 实验序号:20 院系:一年级工作部 专业: 理工 级.班: 教师签名: 李 强 仪器与用具:TH-H霍尔效应实验组合
霍尔效应和霍尔元件特性测定数据处理范例1.霍尔元件的不等位电势差测定(1)表一:霍尔元件不等位电势差与工作电流数据表()000050100150200250300000003006009012015018(2)在坐标纸上作出不等位电势差与工作电流的关系曲线。图1:不等位电势差与工作电流的关系曲线2.励磁电流一定,霍尔元件灵敏度测定(仪器公差取数字仪表显示数据
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级霍尔效应 霍尔效应: 实验目的实验原理操作方法霍尔效应霍尔效应:霍尔于1879年在研究金属的导电机构时发现的霍尔效应在磁场等物理量的测试自动化和信息技术等方面有着极其广泛的应用一实验目的1.了解产生霍尔效应的机理2.研究霍尔元件的特性了解应用霍尔效应测量磁场的方法 二测量原理1.霍尔效应 通有电流的导体或半导体薄片置于磁场中由
样式了解霍尔效应法测量磁场的原理和方法测定霍尔元件的霍尔灵敏度用霍尔效应法测量通电螺线管轴线上的磁场用霍尔效应法测量通电线圈轴线上的磁场验证磁场跌加原理验证亥姆霍兹线圈中央存在均匀磁场洛仑兹力无限长螺线管内存在均匀磁场 BIH U1=UHUtUNUsU0 B-IH U2=- UH -U
霍尔效应科技名词定义中文名称:霍尔效应 英文名称:Hall effect 定义1:在物质中任何一点产生的感应电场强度与电流密度和磁感应强度之矢量积成正比的现象 所属学科: t _blank 电力(一级学科) t _blank 通论(二级学科) 定义2:通过电流的半导体在垂直电流方向的磁场作用下在与电流和磁场垂直的方向上形成电荷积累和出现电势差的现象 所属学科: t _b
通过霍尔效应测量磁场在磁场中的载流导体上出现很想电势差的现象是24岁的研究生霍尔(Edwin H Hall)在1879年发现的,现在称之为霍尔效应。随着半导体物理学的迅猛发展,霍尔系数和电导率的测量已经称为研究半导体材料的主要方法之一。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。若能测得霍尔系数和电导率随温度变化的关系,还可以求出半导体材
通过霍尔效应测量磁场实验目的:通过用霍尔元件测量磁场,判断霍尔元件载流子类型,计算载流子的浓度和迁移速度,以及了解霍尔效应测试中的各种副效应及消除方法。实验原理:????????通过霍尔效应测量磁场霍尔效应装置如图231-1和图231-2所示。将一个半导体薄片放在垂直于它的磁场中(B的方向沿z轴方向),当沿y方向的电极A、A’上施加电流I时,薄片内定向移动的载流子(设平均速率为u)受到洛伦兹力
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级量子霍尔效应的解释0610188 陈天0610187 陈侃0610189陈玺洋量子霍尔效应冯·克利青从金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)发现了一种新的量子霍尔效应他在硅MOSFET管上加两个电极再把这个硅MOSFET管放到强磁场和极低温下发现霍耳电阻随栅压变化的曲线上出现了一系列平台与这些平台相应的霍耳电阻R=h
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