第三部分 习题与解答习题1客观检测题一填空题1在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系2当PN结外加正向电压时扩散电流 大于 漂移电流耗尽层 变窄 当外加反向电压时扩散电流 小于 漂移电流耗尽层 变宽 3在N型半导体中电子为多数载流子 空穴 为少数载流子二.判断题 1由于P型半导体中含有大量空穴载流子N型半导体中
一(1) (2)× (3) (4)× (5) (6)× 二(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三UO1≈1.3V UO20 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V四UO16V UO25V五根据PCM200mW可得:UCE40V时IC5mAUCE30V时IC≈6.67mAUCE20V时IC10mAUCE10V时IC2
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一填空题1在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系2当PN结外加正向电压时扩散电流 大于 漂移电流耗尽层 变窄 当外加反向电压时扩散电流 小于 漂移电流耗尽层 变宽 3在N型半导体中电子为多数载流子 空穴 为少数载流子二.判断题 1由于P型半导体中含有大量空穴载流子N型半导体中含有大
习题1客观检测题一填空题1在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系2当PN结外加正向电压时扩散电流 大于 漂移电流耗尽层 变窄 当外加反向电压时扩散电流 小于 漂移电流耗尽层 变宽 3在N型半导体中电子为多数载流子 空穴 为少数载流子二.判断题 1由于P型半导体中含有大量空穴载流子N型半导体中含有大量电子载流子所以P型
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半导体基础知识自测题 一(1) (2)× (3) (4)× (5) (6)× 二(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三UO1≈ UO20 UO3≈- UO4≈2V UO5≈ UO6≈-2V四UO16V UO25V五根据PCM200mW可得:UCE40V时IC5mAUCE30V时IC≈UCE20V时IC10mAUCE10V时IC20mA将改点连
《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案第一章1-1 二极管的正向电阻愈小愈好反向电阻愈大愈好1-7 ① IZ =14mA ② IZ =24mA ③ IZ =17mA1-13 (a)放大区 (b)截止区 (c)放大区 (d)饱和区 (e)截止区 (f)临界饱和 (g)放大区 (h)放大区1-15 (a)NPN锗管 (b)P
模拟电子技术基础 第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体加入( C )元素可形成P 型半导体 A.五价 B. 四价 C. 三价(2)当温度升高时二极管的反向饱和电流将(A) A.增大 B.不变
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第2章 半导体三极管及其基本放大电路 正向 反向 正向 正向 增大 增大 减小 大 共射 共基 共集 共基 输入信号电压 电压型控制 线性增加 可变电阻 耗尽型FET(含JFET) 减小Rg1Rg2的分流作用 增大放大电路的输入电阻 (a1) (b2) (b3) (a4) (b)0 (b)1 (a) (c) (b)2 (c)3 (b1)
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