补充:绝缘栅场效晶体管SiO2绝缘层 EGG– 在一定的漏–源电压UDS下使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th) 漏极特性曲线2. 耗尽型绝缘栅场效晶体管2. 耗尽型绝缘栅场效晶体管0408耗尽型G在制造时就具有原始导电沟道电子和空穴两种载流子同时参与导电较高 G—S—D
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) 特性曲线及参数 结构 工作原理4.3 金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)4.3.1 N沟道增强型MOSFET1. N沟道增强型MOS管的结构P型衬底沟
四川师范大学物理与电子工程学院5 场效应管放大电路 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 结型场效应管(JFET) 砷化镓金属-半导体场效应管 各种放大器件电路性能比较 MOSFET放大电路 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管.1 N沟道增强型MOSFET.5 MOSFET的主要参数.2 N沟道耗尽型MOSFET.3 P沟道MOSFET.4 沟道长度调制效应.1 N沟
5 场效应管放大电路 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 结型场效应管(JFET) MOSFET放大电路Metal-Oxide-SemiconductorField Effect Transistor 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管.1 N沟道增强型MOSFET.2 N沟道耗尽型MOSFET.1 N沟道增强型MOSFET剖面图1. 结构(N沟道)符号漏极金属栅极
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体制造工艺——表面金属化杨谦金属化6.3.1.金属淀积的方法6.3.2.蒸发 6.3.2.1 原理 6.3.2.2 优缺点 6.3.2.
碳的氧化物 SiO2无色无味的气体难溶于水有毒酸性氧化物CO H2O ≒CO2 H2SO2H2O≒ H2SO3NO2与碱反应SiO2Na2CO3 = Na2SiO3 CO2SiO2CaCO3 = CaSiO3 CO2(工业制玻璃的反应)SO3Na2CO3=Na2SO4 CO2↑ SO32NaHCO3= Na2SO4H2O2CO2↑氮的氧化物SO2稳定性CO工业:4NH3 5O2 =4NO 6H
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体工艺简介物理与光电工程学院张贺秋参考书:《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》电子工业出版社赵树武等译2004-10室内环境:要求很严恒温恒湿气流名称集成度(数字MOS集成电路)小规模集成电路(SSI)<100中规模集成电路(MSI)102103大规模
第六章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管6-1.绘出在偏压条件下结构中对应载流子积累耗尽以及强反型的能带和电荷分布的示意图采用N型衬底并忽略表面态和功函数的影响解:N型衬底S(1)载流子积累()(2)载流子耗尽层()(3)载流子强反型() M能带 6-2.推导出体电荷表面电势以及表面电场的表达式说明在强反型时他们如何依赖于衬底的掺杂浓度在至 范围内画出体电荷表面电势及电场与的关系解:1)
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级金属及其氧化物2012高三备考【例题1】 a克铁粉与含有H2SO4的CuSO4 a克完全反应后得到a克铜则参与反应的CuSO4与H2SO4的物质的量比为( )A 1:7B 7:1C 7:8D 8:7B(变式)a克铁粉与含有H2SO4的CuSO4 a克完全反应后金属固体质量不变则参与反应的CuSO4与H2SO4的物
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