学 术 论 文学生: 吴昌召 学 号: 20094022 学 院: 计算机与信息工程学院 专业年级: 09级电子科学与技术 题 目:论半导体量子尺寸效应对其能带的影响 指导教师: 周慧英 教授 2011年5月摘要本文主要介绍半导体量子尺寸效应对其能带的影响简略地说明什么是
按一下以編輯母片標題樣式按一下以編輯母片第二層第三層第四層第五層電性量測對半導體雙量子點的影響Zeno與反Zeno效應研究人員:唐英瓚(Phd Student) NCTU. EPhys 陳岳男博士(Dr.) NCTU. EPhys T.Brandes (Dr.) UMIST. Phys指導教授:褚德三 老師(Dr.) NCTU. EPhys2006.4
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金属Ag膜的量子尺寸效应理论分析当金属结构的几何尺寸小到纳米量级例如跟相应的电子费密波长(Fermi wavelength)可比时由于量子约束效果已变得非常明显该金属纳米结构经常会呈现出尺寸依赖的物理特征这种现象被称作量子尺寸效应(Quantum size effectQSE)为了简化研究而使用的一个理想化模型即舒提(F K.Schulte)提出的果子冻模型在该模型中金属正离子惰性核心所带的正电荷
小尺寸效应当纳米微粒尺寸与光波波长传导电子的 德布罗意波长及超导态的相干长度透射深度等物理特征尺寸相当或更小时它的周期性边界被破坏从而使其声光电磁热力学等性能呈现出新奇的现象例如铜颗粒达到纳米尺寸时就变得不能导电绝缘的二氧化硅颗粒在20纳米时却开始导电再譬如高分子材料加纳米材料制成的刀具比金钢石制品还要坚硬利用这些特性可以高效率地将太阳能转变为热能电能此外又有可能应用于红外敏感元件红外隐身技术
第29卷 第2期
球磨机磨球尺寸选择对其性能影响的数值
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