IGBT替代MOSFET Jonathan Dodge Advanced Power Technology Bend USA 深圳市晴轩电子有限 徐立刚(译)——————————————————————————————————摘 要:新型SM
HYPERLINK =tt 编辑本段基本介绍 金属-氧化层-半导体-场效晶体管简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)MOSFET依照其通道的极性不同可分为n-type与p-type的MO
#
代替2007-09-15实施2007-09-01发布用于混凝土(砂浆)中的火山灰微粉QLJT龙陵县江腾火山灰开发有限责任企业标准ICS备案号:龙陵Q003—2007JG中华人民共和国住房和城乡建设部 发布20××-××-××实施20××-××-××发布工厂预制混凝土构件质量管理标准Standard for quality management of concrete structural
要使增强型N沟道MOSFET工作要在GS之间加正电压VGS及在DS之间加正电压VDS则产生正向工作电流ID改变VGS的电压可控制工作电流ID如图3所示(上面↑) 若先不接VGS(即VGS0)在D与S极之间加一正电压VDS漏极D与衬底之间的PN结处于反向因此漏源之间不能导电如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板而氧化物绝缘层作为电容器的介质当加上VGS
WJ备案号:××××-××××G 89ICS 中华人民共和国兵器行业标准WJT 9066—××××代替 WJ 9066—2010 煤矿许用瓦斯抽采炸药药柱Explosive charge for gas drainage with permission of coal mine(征求意见稿)中华人民共和国工业和信息化部 发布20XX-XX-XX实施20XX-XX-XX发布 :
through£->in term ofvia operate£->manipulate offspring£->descendant inevitable£-dispensable detail£->specific explain£->interpret obvious£->conspicuous hurt£->vulnerable use£->employutilize value£->me
#
随着制造技术的发展和进步系统设计人员必须跟上技术的发展步伐才能为其设计挑选最合适的电子器件MOSFET是电气系统中的基本部件工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择本文将讨论如何根据RDS(ON)热性能雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道在功率系统中MOSFET可被看成电气开关当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时
SAP的确认与替代1.确认与替代的作用常用T-code:OB28:APARGL OAZ1:AMGCVW:Global Validation下面以一个凭证校验必须输入0-9999之间的数字的实例来解释一下确认的与替代的操作【图】1 是可以对文档抬头控制其只可选BKPF字段和只在凭证头回车或保存凭证触发【图】2 是可以对行项目进行控制校验的时候是校验行项目其先决条件可选BKPF和BSEG但是Ch
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报